基于EET理論,研究了Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相與基體α之間界面的價(jià)電子結(jié)構(gòu),計(jì)算了α、Mg-Ag偏聚區(qū)、Ω相空間價(jià)電子結(jié)構(gòu)和Ω/Mg-Ag/a界面、Ω/α界面的價(jià)電子結(jié)構(gòu),分析了Ω/Mg-Ag/α界面價(jià)電子結(jié)構(gòu)與界面性能的關(guān)系。研究表明:Ω/Mg-Ag/α界面外層Mg-Ag/α面電子密度差為16.54%,內(nèi)層Ω/Mg-Ag面電子密度差為50.73%,外層的連續(xù)性好于內(nèi)層;Mg-Ag層使W相與基體α間的界面電子密度差減小1.13%,使(111)α面上的最強(qiáng)共價(jià)鍵鍵合力增大14.52%、(111)α面的共價(jià)電子密度增大146.87%、(001)Ω面最強(qiáng)共價(jià)鍵鍵合力增大45.85%、(001)Ω面的共價(jià)電子密度增大了45.30%。Mg-Ag層增大了W相對(duì)位錯(cuò)滑移的阻力,減小界面兩側(cè)相平面的電子密度差,增加了界面連續(xù)性,減小了界面應(yīng)力,增大了界面結(jié)合力,增大了界面穩(wěn)定性,提高了合金的強(qiáng)韌性。

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