磁場對鐵在不同電位高氯酸鈉溶液中陽極溶解的影響
發(fā)布時間:2022-01-03 23:27
在不同磁場條件的0.1mol/L NaClO4溶液中對鐵陽極進行了動電位極化和恒電位極化,研究了磁場對鐵陽極溶解的影響。結果表明:磁場使鐵的開路電位正移,降低了極化曲線低電位區(qū)的電流密度,增大了高電位區(qū)的電流密度和陽極極化曲線線性段的斜率;恒電位極化時,低電位下磁場的作用與施加磁場的順序有關,在高電位下磁場會增大電流密度,與動電位極化曲線的結果一致;磁場作用下高速溶解后鐵電極表面出現(xiàn)月牙形局部腐蝕形貌。
【文章來源】:腐蝕與防護. 2020,41(08)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
不同磁場條件下鐵在0.1mol/L NaClO4溶液中開路電位隨浸泡時間的變化曲線
不同磁場條件下鐵在0.1mol/L NaClO4溶液中的陽極極化曲線如圖2所示。由圖可見,在陽極極化曲線的低電位區(qū)出現(xiàn)兩個電流密度峰值,并且在0.4T磁場條件下的峰值明顯低于0T磁場條件下的,說明磁場在極化曲線低電位區(qū)使電流密度降低。在陽極極化曲線線性區(qū),0T磁場條件下其斜率為51.85(mA·cm-2)/V,在0.4T磁場條件下斜率為75.20(mA·cm-2)/V,磁場增大了線性區(qū)陽極反應速率及斜率。圖3為不同磁場條件下在0.1mol/L NaClO4溶液中動電位極化后鐵表面形貌。結果表明,在0T磁場條件下動電位極化后,鐵表面沒有出現(xiàn)宏觀不均勻腐蝕區(qū)域;而在0.4T磁場條件下動電位極化后,電極兩側表面沿水平方向出現(xiàn)了月牙形的腐蝕凹陷,在電極中心區(qū)域出現(xiàn)嚴重的局部腐蝕。
圖3為不同磁場條件下在0.1mol/L NaClO4溶液中動電位極化后鐵表面形貌。結果表明,在0T磁場條件下動電位極化后,鐵表面沒有出現(xiàn)宏觀不均勻腐蝕區(qū)域;而在0.4T磁場條件下動電位極化后,電極兩側表面沿水平方向出現(xiàn)了月牙形的腐蝕凹陷,在電極中心區(qū)域出現(xiàn)嚴重的局部腐蝕。2.3 恒電位極化
【參考文獻】:
期刊論文
[1]磁場對鐵在含亞硝酸根的氯化鈉溶液中不同電位下極化電流的影響[J]. 陳珍,呂戰(zhàn)鵬,肖茜,陳俊劼. 腐蝕與防護. 2017(01)
[2]磁場和雜質離子存在下Fe/Na2SO4體系的陽極極化行為[J]. 陳俊明,呂戰(zhàn)鵬. 中國腐蝕與防護學報. 1998(02)
[3]鐵在含有SCN-的高氯酸鈉及硫酸鈉溶液中的腐蝕電化學行為[J]. 梁峰,曹楚南,林海潮,王友,周盛奇. 中國腐蝕與防護學報. 1990(02)
本文編號:3567184
【文章來源】:腐蝕與防護. 2020,41(08)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
不同磁場條件下鐵在0.1mol/L NaClO4溶液中開路電位隨浸泡時間的變化曲線
不同磁場條件下鐵在0.1mol/L NaClO4溶液中的陽極極化曲線如圖2所示。由圖可見,在陽極極化曲線的低電位區(qū)出現(xiàn)兩個電流密度峰值,并且在0.4T磁場條件下的峰值明顯低于0T磁場條件下的,說明磁場在極化曲線低電位區(qū)使電流密度降低。在陽極極化曲線線性區(qū),0T磁場條件下其斜率為51.85(mA·cm-2)/V,在0.4T磁場條件下斜率為75.20(mA·cm-2)/V,磁場增大了線性區(qū)陽極反應速率及斜率。圖3為不同磁場條件下在0.1mol/L NaClO4溶液中動電位極化后鐵表面形貌。結果表明,在0T磁場條件下動電位極化后,鐵表面沒有出現(xiàn)宏觀不均勻腐蝕區(qū)域;而在0.4T磁場條件下動電位極化后,電極兩側表面沿水平方向出現(xiàn)了月牙形的腐蝕凹陷,在電極中心區(qū)域出現(xiàn)嚴重的局部腐蝕。
圖3為不同磁場條件下在0.1mol/L NaClO4溶液中動電位極化后鐵表面形貌。結果表明,在0T磁場條件下動電位極化后,鐵表面沒有出現(xiàn)宏觀不均勻腐蝕區(qū)域;而在0.4T磁場條件下動電位極化后,電極兩側表面沿水平方向出現(xiàn)了月牙形的腐蝕凹陷,在電極中心區(qū)域出現(xiàn)嚴重的局部腐蝕。2.3 恒電位極化
【參考文獻】:
期刊論文
[1]磁場對鐵在含亞硝酸根的氯化鈉溶液中不同電位下極化電流的影響[J]. 陳珍,呂戰(zhàn)鵬,肖茜,陳俊劼. 腐蝕與防護. 2017(01)
[2]磁場和雜質離子存在下Fe/Na2SO4體系的陽極極化行為[J]. 陳俊明,呂戰(zhàn)鵬. 中國腐蝕與防護學報. 1998(02)
[3]鐵在含有SCN-的高氯酸鈉及硫酸鈉溶液中的腐蝕電化學行為[J]. 梁峰,曹楚南,林海潮,王友,周盛奇. 中國腐蝕與防護學報. 1990(02)
本文編號:3567184
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