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TC4合金電拋光液配方及工藝研究

發(fā)布時間:2017-05-02 05:10

  本文關鍵詞:TC4合金電拋光液配方及工藝研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:鈦及鈦合金由于具有比強度高、優(yōu)異的耐蝕性及耐熱性能而被廣泛用于航空航天、化學工業(yè)及生物醫(yī)療器械等領域。電化學拋光是一門應用較多的鈦及鈦合金表面整平工藝,它既可應用于材料表面裝飾加工的預處理工藝,還能完全獨立的用于材料表面的去毛刺及整平精加工。電化學拋光工藝能保證鈦合金加工質(zhì)量、提高加工效率,是材料表面處理工藝中不可或缺的關鍵技術(shù)。以TC4合金為研究對象,在室溫條件下,擬采用單因素考察法和正交試驗法,以溶液配比、電參數(shù)(拋光電壓)和拋光時間為設計因子建立電化學拋光TC4合金的試驗方案。先通過單因素試驗考察法確定了較優(yōu)的參數(shù)范圍,進一步設計正交試驗得出最佳電化學拋光工藝,并分析了電化學拋光液配比和拋光參數(shù)對試樣表面粗糙度和表面形貌的影響。試驗結(jié)果表明:各工藝參數(shù)對拋光效果的影響作用從主到次的順序依次為:溶液配比,拋光電壓,拋光時間。常溫下和一定陰陽極間距的試驗條件下,一定濃度的高氯酸-冰醋酸溶液和硫酸-甲醇無水溶液體系可以對TC4鈦合金實現(xiàn)有效的電化學拋光作用。這兩種溶液體系均可以使TC4鈦合金表面粗糙度值有所下降、光亮度有所提高,對其表面微觀形貌也有所改善。并且得到了TC4合金在高氯酸-冰醋酸和硫酸-甲醇體系中的最佳拋光電壓分別為85V和45V,最佳拋光時間分別是25s和50s。但是,與硫酸-甲醇無水溶液體系相比,經(jīng)高氯酸-冰醋酸溶液電化學拋光后的TC4鈦合金試樣表面粗糙度Ra值明顯下降,光亮度顯著提高,表面質(zhì)量也更為均勻平滑。
【關鍵詞】:TC4合金 電化學拋光 表面粗糙度 表面形貌
【學位授予單位】:長安大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TG175
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-8
  • 第一章 緒論8-20
  • 1.1 鈦及鈦合金8-14
  • 1.1.1 鈦及鈦合金的發(fā)展歷程及研究進展8-9
  • 1.1.2 鈦及鈦合金的性質(zhì)9-10
  • 1.1.3 鈦合金的分類10-11
  • 1.1.4 鈦及鈦合金應用現(xiàn)狀及發(fā)展前景11-13
  • 1.1.5 鈦及鈦合金常用的表面處理工藝13-14
  • 1.2 電化學拋光技術(shù)14-18
  • 1.2.1 電化學拋光技術(shù)的研究概況14-15
  • 1.2.2 電化學拋光技術(shù)的基本原理15-16
  • 1.2.3 電化學拋光技術(shù)的特點16-17
  • 1.2.4 電化學拋光技術(shù)的應用領域17-18
  • 1.3 本課題的研究目的、意義及內(nèi)容18-20
  • 1.3.1 研究目的及意義18
  • 1.3.2 研究內(nèi)容18-20
  • 第二章 實驗材料及研究方法20-28
  • 2.1 實驗材料、實驗設備及主要化學試劑20-22
  • 2.1.1 實驗材料20
  • 2.1.2 實驗設備20-21
  • 2.1.3 主要化學試劑21-22
  • 2.2 電化學拋光液的選用及配制22-23
  • 2.3 試驗研究方法23-26
  • 2.3.1 單因素試驗25-26
  • 2.3.2 正交試驗26
  • 2.4 檢測及分析方法26-28
  • 2.4.1 表面粗糙度測試27
  • 2.4.2 金相照片分析27
  • 2.4.3 掃描電鏡分析27-28
  • 第三章 高氯酸-冰醋酸體系電化學拋光的工藝及質(zhì)量分析28-39
  • 3.1 電化學拋光工藝及參數(shù)28-29
  • 3.1.1 試驗溫度28
  • 3.1.2 電極間距28-29
  • 3.2 電化學拋光操作過程29-31
  • 3.2.1 試樣制備29-30
  • 3.2.2 電化學拋光液制備30
  • 3.2.3 電化學拋光試驗30-31
  • 3.3 單因素試驗結(jié)果及分析31-36
  • 3.3.1 溶液配比對表面粗糙度的影響31-33
  • 3.3.2 拋光電壓對表面粗糙度的影響33-34
  • 3.3.3 拋光時間對表面粗糙度的影響34-36
  • 3.4 正交試驗結(jié)果及分析36-38
  • 3.5 本章小結(jié)38-39
  • 第四章 硫酸-甲醇體系電化學拋光的工藝及質(zhì)量分析39-48
  • 4.1 硫酸-甲醇系電化學拋光工藝參數(shù)及配方探究39-40
  • 4.1.1 陰陽極間距39
  • 4.1.2 電化學拋光液配方探究39-40
  • 4.2 電化學拋光工藝參數(shù)的優(yōu)化40-44
  • 4.2.1 電化學拋光液的優(yōu)化41-42
  • 4.2.2 拋光電壓的優(yōu)化42-43
  • 4.2.3 拋光時間的優(yōu)化43-44
  • 4.3 最優(yōu)工藝參數(shù)的確定44-47
  • 4.4 本章小結(jié)47-48
  • 結(jié)論48-49
  • 參考文獻49-52
  • 攻讀學位期間取得的研究成果52-53
  • 致謝53

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本文編號:340348

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