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銅表面化學氣相沉積石墨烯的研究進展:生長行為與控制制備

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銅表面化學氣相沉積石墨烯的研究進展:生長行為與控制制備推薦 CAJ下載 PDF下載 id=hidtitle value="馬來鵬-科學通報-2012年23期13;10; " type=hidden>  科學通報 ,Chinese Science Bulletin,
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2012年23期
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【作者】馬來鵬; 任文才; 董再勵; 劉連慶; 成會明;

【機構】中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家(聯(lián)合)實驗室; 中國科學院沈陽自動化研究所,機器人學國家重點實驗室;

【摘要】以銅作為基體的化學氣相沉積法(CVD)是近年來發(fā)展起來的制備石墨烯的新方法,具有產(chǎn)物質(zhì)量高、層數(shù)均一等優(yōu)點,已成為制備大面積、單層石墨烯的主要方法.本文圍繞銅表面CVD控制生長石墨烯,結(jié)合對石墨烯的結(jié)構和生長行為的初步認識,介紹了質(zhì)量提高、層數(shù)控制以及無轉(zhuǎn)移生長等控制制備方面的最新研究進展,并展望了該方法制備石墨烯的可能發(fā)展方向,包括大尺寸石墨烯單晶以及不同堆垛方式的雙層石墨烯的控制生長等. 更多還原

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