納米多孔硅(nano porous silicon, nPS)是一種在硅表面形成微納米多孔結(jié)構(gòu)的硅基底材料,被廣泛應(yīng)用于電子元件、發(fā)光元件、生物傳感器以及MEMS含能器件中。自20世紀(jì)50年代發(fā)明以來,受到了廣泛的關(guān)注。1992年Bard教授首先發(fā)現(xiàn)了nPS的低溫爆炸性能,自此nPS被逐步應(yīng)用于進納米含能材料。以多晶硅粉為原料,HF、HNO3、NaNO2混合液為腐蝕體系,利用化學(xué)腐蝕法制備了nPS粉。應(yīng)用氮吸附技術(shù)、SEM、DSC-TG以及FTIR技術(shù)分別對nPS粉的比表面積、平均孔徑、表面形貌、熱性能及官能團進行了表征及分析,研究了HN03濃度、腐蝕時間以及原料Si粉粒徑對nPS粉理化性質(zhì)的影響,優(yōu)化了化學(xué)腐蝕條件,得出nPS粉最佳制備方案。以NaC104為氧化劑,制備了nPS/NaClO4復(fù)合含能材料,紅外熱成像儀對復(fù)合含能材料的燃燒溫度進行測試,利用DSC-TG以及XRD衍射測試對復(fù)合含能材料的燃燒機理進行分析。利用化學(xué)沉淀法制備了nPS/BaCrO4延期藥,進行了燃速測試并計算了其延期精度,具體研究內(nèi)容與結(jié)果如下：(1)利用化學(xué)腐蝕法制備了nPS粉體,SEM測試結(jié)果顯示,nPS粉...

【文章頁數(shù)】：131 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２火花放電腐蝕法制備的納米多孔枉化Ｍ圖??

圖１．２火花放電腐蝕法制備的納米多孔枉化Ｍ片的腐蝕過程中使用氨氣酸，Ｈｏｎｇ?Ｌｉｕ早應(yīng)用于模擬礦物的合成方法，其優(yōu)

圖１．３水熱腐蝕法制備多孔珪基片的原理示意圖??④常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)??

Ｉ?＾?Ｉ??圖１．４ＡＰＣＶＤ方法成孔原理示意圖??１．２．?２?ｎＰＳ粉的制備??隨著科學(xué)技術(shù)的高速發(fā)展，Ｌ義及ｎＰＳ本身性質(zhì)的優(yōu)越性，使其在更多領(lǐng)域應(yīng)用中??具有更大的潛力，而ｎＰＳ基片因其特殊的物理狀態(tài)，限制了其在各個領(lǐng)域中乂規(guī)模應(yīng)??用。因此制備性能優(yōu)良的ｎＰＳ粉在近年....

圖１．４ＡＰＣＶＤ方法成孔原理示意圖??

＞??Ｉ??圖１．３水熱腐蝕法制備多孔珪基片的原理示意圖??④常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)??Ｌｉｕ?Ｚｈｉｈｏｎｇ等人［ｊＳ蝴用常壓化學(xué)氣象沉積法燦ｍｏｓｐｈｅｒｉｃ?ｐｒｅｓｓｕｒｅ?ｃｈｅｍｉｃａｌ?ｖａｐｏｒ??ｄｅｐｏｓ扣ｏｎ，?ＡＰＣＶ巧成功制備了大孔ＰＳ。該方法是將Ｓｎ〇２....

圖１．５固體火焰放熱法反應(yīng)裝置圈及３Ｄ原理示??

＞??Ｉ??圖１．３水熱腐蝕法制備多孔珪基片的原理示意圖??④常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)??Ｌｉｕ?Ｚｈｉｈｏｎｇ等人［ｊＳ蝴用常壓化學(xué)氣象沉積法燦ｍｏｓｐｈｅｒｉｃ?ｐｒｅｓｓｕｒｅ?ｃｈｅｍｉｃａｌ?ｖａｐｏｒ??ｄｅｐｏｓ扣ｏｎ，?ＡＰＣＶ巧成功制備了大孔ＰＳ。該方法是將Ｓｎ〇２....

本文編號：4028202