為考察接觸電阻對電磁發(fā)射裝置性能以及結(jié)構(gòu)的影響,對C型電樞發(fā)射裝置進(jìn)行三維有限元模擬。應(yīng)用CLM法計算出接觸表面的接觸電阻,分別對理想接觸和考慮接觸電阻的電磁軌道發(fā)射進(jìn)行電磁場和溫度場計算,對比分析接觸電阻對發(fā)射裝置溫度場的影響。結(jié)果表明:接觸壓力不均,造成接觸面各部分的接觸電阻差異較大;電樞和導(dǎo)軌的高溫區(qū)分別集中在尾翼和軌道兩側(cè)的棱角處;接觸電阻使樞軌溫升明顯,造成局部高溫,證實接觸電阻是導(dǎo)致發(fā)射裝置熔化燒蝕的主要原因之一。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 電磁場和溫度場模型及參數(shù)
2 計算結(jié)果與分析
    2.1 電磁場分析
    2.2 溫度場分析
3 結(jié)論



本文編號：3755643