為了研究小尺寸半導(dǎo)體橋（Semiconductor Bridge,SCB）裸橋和涂斯蒂芬酸鉛（Lead Styphnate,LTNR）時(shí)的電爆發(fā)火特性,在22μF電容放電條件下,對(duì)小尺寸磷摻雜單晶硅SCB裸橋與涂LTNR時(shí)的電爆、后期放電（Late Time Discharge,LTD）過程的能量及時(shí)間數(shù)據(jù)進(jìn)行了測試和對(duì)比分析。結(jié)果表明:裸橋和涂藥SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V電壓下電爆能量的平均值十分接近,裸橋和涂藥SCB電爆能量值與電壓大小無關(guān)。隨著電壓的提高,裸橋和涂藥SCB的LTD能量及時(shí)間按照指數(shù)規(guī)律上升,發(fā)火之后的摻雜單晶硅層汽化的面積會(huì)不斷擴(kuò)大。裸橋和涂藥SCB所有電爆發(fā)火樣品的電爆能量平均值分別為34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂藥在電爆過程中吸收能量較少,對(duì)電爆能量的影響很小。 

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 試驗(yàn)過程
    1.1 試驗(yàn)樣品情況
    1.2 試驗(yàn)裝置及原理
2 結(jié)果與討論
    2.1 裸橋及涂藥SCB電爆發(fā)火電信號(hào)特征
    2.2 裸橋及涂藥SCB電爆發(fā)火能量及時(shí)間特性分析
        2.2.1電爆能量及電爆時(shí)間特性分析
        2.2.2后期放電能量及時(shí)間特性分析
        2.2.3發(fā)火能量及時(shí)間特性分析
        2.2.4涂藥SCB發(fā)火延滯期特性分析
        2.2.5能量利用率特性分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]半導(dǎo)體橋芯片性能影響因素的研究[J]. 劉忠山,劉國應(yīng),莫元玲.  火工品. 2015(04)
[2]半導(dǎo)體橋裸橋與裝LTNR時(shí)的點(diǎn)火特性[J]. 馬鵬,張琳,朱順官,張壘,陳厚和.  爆炸與沖擊. 2011(03)
[3]半導(dǎo)體橋長寬比對(duì)其發(fā)火性能的影響[J]. 周彬,秦志春,毛國強(qiáng).  南京理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2009(02)
[4]半導(dǎo)體橋的設(shè)計(jì)分析[J]. 祝逢春,秦志春,陳西武,周彬,徐振相.  爆破器材. 2004(02)
[5]半導(dǎo)體橋（SCB）的研究[J]. 周蓉,岳素格,秦卉芊,張玉才,胡思福.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 1998(11)

博士論文
[1]微尺寸起爆系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用研究[D]. 鮑丙亮.北京理工大學(xué) 2016

碩士論文
[1]低發(fā)火能量、高安全性半導(dǎo)體橋的研究[D]. 毛國強(qiáng).南京理工大學(xué) 2007
[2]半導(dǎo)體橋等離子點(diǎn)火特性研究[D]. 王文.南京理工大學(xué) 2007



本文編號(hào)：3716281