電熱化學(xué)發(fā)射用緊湊型脈沖電源模塊
發(fā)布時(shí)間:2021-11-28 03:54
基于某大口徑電熱化學(xué)炮工程化研究的需求,開(kāi)展了緊湊型脈沖電源模塊的研究。根據(jù)之前發(fā)射試驗(yàn)所得結(jié)論,以及發(fā)射系統(tǒng)對(duì)重頻連發(fā)能力和約束空間的要求,確定了脈沖電源模塊的技術(shù)參數(shù)、電路拓?fù)浜凸β势骷桨。針?duì)功率器件的特點(diǎn),提出了共用電極式一體化結(jié)構(gòu)方案和主、被動(dòng)相結(jié)合的內(nèi)嵌式散熱管理方案。通過(guò)結(jié)構(gòu)和制造工藝的改進(jìn),使功率器件適應(yīng)了火炮射擊的強(qiáng)振動(dòng)環(huán)境,并借助縮比樣品驗(yàn)證了其抗振動(dòng)沖擊能力。運(yùn)用多物理場(chǎng)仿真分析手段,在內(nèi)嵌式散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、抗振動(dòng)沖擊試驗(yàn)、模塊一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等研究的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)和試制了儲(chǔ)能密度高、適應(yīng)強(qiáng)振動(dòng)環(huán)境、具備重頻連發(fā)能力的緊湊型脈沖電源模塊,并通過(guò)模擬負(fù)載放電測(cè)試和電熱化學(xué)炮發(fā)射試驗(yàn)驗(yàn)證了研究方案的可行性。緊湊型脈沖電源模塊的儲(chǔ)能密度為1.4 MJ/m3,在短路負(fù)載工況和自然冷卻方式下能以6次/min的頻率連續(xù)工作3次。研究結(jié)果有助于推進(jìn)電熱化學(xué)發(fā)射技術(shù)的工程化發(fā)展,同時(shí)也為今后發(fā)展大儲(chǔ)能量、小型化脈沖電源提供了技術(shù)儲(chǔ)備。
【文章來(lái)源】:高電壓技術(shù). 2020,46(10)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【部分圖文】:
電源模塊的電路結(jié)構(gòu)Fig.1Circuitstructureofpowermodule
?TL2分別表示冗余散熱方案下和液冷散熱方案下脈沖電感器內(nèi)部最高溫度隨時(shí)間變化的計(jì)算曲線,TD1、TD2分別表示冗余散熱方案下和液冷散熱方案下整流管內(nèi)部最高溫度隨時(shí)間變化的計(jì)算曲線,TS1、TS2分別表示冗余散熱方案下和液冷散熱方案下晶閘管內(nèi)部最高溫度隨時(shí)間變化的計(jì)算曲線。根據(jù)仿真結(jié)果列出了3次連發(fā)短路放電過(guò)程中各器件內(nèi)部的最高溫度,如表1所示。由表1可知,在3次連發(fā)短路放電過(guò)程中,兩種散熱方案下電感器內(nèi)部最高溫度均低于線圈絕緣封裝材料規(guī)定的長(zhǎng)圖3模塊的一體化結(jié)構(gòu)方案Fig.3Integratedstructureschemeofpowermodule圖4短路負(fù)載工況下脈沖電流的仿真波形Fig.4Simulationwaveformofpulsecurrentundershort-circuitconditions圖5功率器件的最高溫度變化曲線Fig.5Maximumtemperaturecurveofpowerdevices期耐受溫度(403.15K),整流管和晶閘管內(nèi)部最高溫度也均低于半導(dǎo)體器件能可靠工作的結(jié)溫(398.15K),因此,放電過(guò)程不會(huì)出現(xiàn)電感器、整流管和晶閘管的過(guò)熱損壞。公共負(fù)極公共陰極公共輸出極1231:脈沖電容器2:晶閘管開(kāi)關(guān)與續(xù)流硅堆3:脈沖電感器123
?范ú捎?2個(gè)額定儲(chǔ)能225kJ、最高工作電壓7.6kV的脈沖成形單元(pulseformingunit,PFU)共同組成電源模塊,電路拓?fù)淙鐖D1所示,圖中Ck(k=1,2)為脈沖電容器,SCRk為晶閘管開(kāi)關(guān),Lk為脈沖電感器,Dk為續(xù)流硅堆,BG+、BG–依次為電源模塊輸出端子的正、負(fù)極,G為發(fā)射器。電源模塊中,單個(gè)PFU的電路參數(shù)設(shè)計(jì)如下:1)電容為7.8mF;2)電感為16μH;3)內(nèi)阻≤5m。由電路參數(shù)和負(fù)載阻抗建立發(fā)射系統(tǒng)的放電模型,經(jīng)仿真獲得的電流見(jiàn)圖2,圖中igS是火炮電流,iP1、iP2依次是2個(gè)PFU的輸出電流。圖2還給出了由之前發(fā)射研究獲得的能滿足本階段研究目標(biāo)期望的典型脈沖電流ig0,以便對(duì)比分析。由圖2可知,在2個(gè)PFU以330μs時(shí)序間隔放電的情況下,igS與ig0在半峰值時(shí)刻之前具有良好的一致性,而在臨近放電結(jié)束時(shí)刻,二者才呈現(xiàn)較大的差距,原因是電熱化學(xué)發(fā)射的核心部件是等離子體發(fā)生器,其屬于電爆炸類(lèi)型負(fù)載[8],仿真模型無(wú)法準(zhǔn)確模擬它的突變斷弧過(guò)程。對(duì)火炮發(fā)射有效的電作用量主要在電流半峰值時(shí)刻之前,因此可知電源模塊的電路參數(shù)設(shè)計(jì)合理。2.2功率器件根據(jù)電源模塊的電路參數(shù)、仿真電流和工作電壓,開(kāi)展了功率器件的方案設(shè)計(jì)。器件選型方案如下:1)脈沖電容器,采用儲(chǔ)能密度2.4MJ/m3的干式金屬化膜電容器;2)脈沖電感器,采用儲(chǔ)能密度圖1電源模塊的電路結(jié)構(gòu)Fig.1Circuitstructureofpowermodule圖2仿真電流波形與典型電流波形Fig.2Simulatedcurrentwaveformandtypicalcurrentwaveform
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]軌道溫度對(duì)電磁發(fā)射性能的影響[J]. 徐偉東,劉峰,袁偉群,王志增,徐蓉,嚴(yán)萍. 高電壓技術(shù). 2019(09)
[2]電感儲(chǔ)能連續(xù)脈沖電源電路及參數(shù)分析[J]. 李海濤,張濤,安韻竹,張亞?wèn)|,胡元潮,王欽冰. 高電壓技術(shù). 2019(03)
[3]電磁軌道炮樞軌的動(dòng)態(tài)焦?fàn)枱崽匦訹J]. 耿軼青,劉輝,馬增帥,袁建生. 高電壓技術(shù). 2019(03)
[4]金屬化膜電容器壽命預(yù)測(cè)方法[J]. 熊詩(shī)成,魯軍勇,鄭宇鋒,曾德林. 高電壓技術(shù). 2018(07)
[5]兩相永磁被動(dòng)補(bǔ)償脈沖發(fā)電機(jī)研制[J]. 王昊澤,劉昆,張立,朱博峰. 高電壓技術(shù). 2018(03)
[6]電熱化學(xué)發(fā)射中的過(guò)電壓現(xiàn)象與機(jī)理研究[J]. 李貞曉,金涌,田慧,栗保明. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(05)
[7]電磁發(fā)射技術(shù)[J]. 馬偉明,魯軍勇. 國(guó)防科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2016(06)
[8]電磁發(fā)射用13 MJ脈沖功率電源系統(tǒng)研究[J]. 張亞舟,李貞曉,金涌,羅紅娥,田慧,栗保明. 兵工學(xué)報(bào). 2016(05)
[9]電熱化學(xué)發(fā)射中硅堆故障試驗(yàn)分析[J]. 李貞曉,張亞舟,高梁,金涌,栗保明. 兵工學(xué)報(bào). 2015(04)
[10]電磁軌道炮發(fā)射技術(shù)的發(fā)展與現(xiàn)狀[J]. 李軍,嚴(yán)萍,袁偉群. 高電壓技術(shù). 2014(04)
本文編號(hào):3523651
【文章來(lái)源】:高電壓技術(shù). 2020,46(10)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【部分圖文】:
電源模塊的電路結(jié)構(gòu)Fig.1Circuitstructureofpowermodule
?TL2分別表示冗余散熱方案下和液冷散熱方案下脈沖電感器內(nèi)部最高溫度隨時(shí)間變化的計(jì)算曲線,TD1、TD2分別表示冗余散熱方案下和液冷散熱方案下整流管內(nèi)部最高溫度隨時(shí)間變化的計(jì)算曲線,TS1、TS2分別表示冗余散熱方案下和液冷散熱方案下晶閘管內(nèi)部最高溫度隨時(shí)間變化的計(jì)算曲線。根據(jù)仿真結(jié)果列出了3次連發(fā)短路放電過(guò)程中各器件內(nèi)部的最高溫度,如表1所示。由表1可知,在3次連發(fā)短路放電過(guò)程中,兩種散熱方案下電感器內(nèi)部最高溫度均低于線圈絕緣封裝材料規(guī)定的長(zhǎng)圖3模塊的一體化結(jié)構(gòu)方案Fig.3Integratedstructureschemeofpowermodule圖4短路負(fù)載工況下脈沖電流的仿真波形Fig.4Simulationwaveformofpulsecurrentundershort-circuitconditions圖5功率器件的最高溫度變化曲線Fig.5Maximumtemperaturecurveofpowerdevices期耐受溫度(403.15K),整流管和晶閘管內(nèi)部最高溫度也均低于半導(dǎo)體器件能可靠工作的結(jié)溫(398.15K),因此,放電過(guò)程不會(huì)出現(xiàn)電感器、整流管和晶閘管的過(guò)熱損壞。公共負(fù)極公共陰極公共輸出極1231:脈沖電容器2:晶閘管開(kāi)關(guān)與續(xù)流硅堆3:脈沖電感器123
?范ú捎?2個(gè)額定儲(chǔ)能225kJ、最高工作電壓7.6kV的脈沖成形單元(pulseformingunit,PFU)共同組成電源模塊,電路拓?fù)淙鐖D1所示,圖中Ck(k=1,2)為脈沖電容器,SCRk為晶閘管開(kāi)關(guān),Lk為脈沖電感器,Dk為續(xù)流硅堆,BG+、BG–依次為電源模塊輸出端子的正、負(fù)極,G為發(fā)射器。電源模塊中,單個(gè)PFU的電路參數(shù)設(shè)計(jì)如下:1)電容為7.8mF;2)電感為16μH;3)內(nèi)阻≤5m。由電路參數(shù)和負(fù)載阻抗建立發(fā)射系統(tǒng)的放電模型,經(jīng)仿真獲得的電流見(jiàn)圖2,圖中igS是火炮電流,iP1、iP2依次是2個(gè)PFU的輸出電流。圖2還給出了由之前發(fā)射研究獲得的能滿足本階段研究目標(biāo)期望的典型脈沖電流ig0,以便對(duì)比分析。由圖2可知,在2個(gè)PFU以330μs時(shí)序間隔放電的情況下,igS與ig0在半峰值時(shí)刻之前具有良好的一致性,而在臨近放電結(jié)束時(shí)刻,二者才呈現(xiàn)較大的差距,原因是電熱化學(xué)發(fā)射的核心部件是等離子體發(fā)生器,其屬于電爆炸類(lèi)型負(fù)載[8],仿真模型無(wú)法準(zhǔn)確模擬它的突變斷弧過(guò)程。對(duì)火炮發(fā)射有效的電作用量主要在電流半峰值時(shí)刻之前,因此可知電源模塊的電路參數(shù)設(shè)計(jì)合理。2.2功率器件根據(jù)電源模塊的電路參數(shù)、仿真電流和工作電壓,開(kāi)展了功率器件的方案設(shè)計(jì)。器件選型方案如下:1)脈沖電容器,采用儲(chǔ)能密度2.4MJ/m3的干式金屬化膜電容器;2)脈沖電感器,采用儲(chǔ)能密度圖1電源模塊的電路結(jié)構(gòu)Fig.1Circuitstructureofpowermodule圖2仿真電流波形與典型電流波形Fig.2Simulatedcurrentwaveformandtypicalcurrentwaveform
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]軌道溫度對(duì)電磁發(fā)射性能的影響[J]. 徐偉東,劉峰,袁偉群,王志增,徐蓉,嚴(yán)萍. 高電壓技術(shù). 2019(09)
[2]電感儲(chǔ)能連續(xù)脈沖電源電路及參數(shù)分析[J]. 李海濤,張濤,安韻竹,張亞?wèn)|,胡元潮,王欽冰. 高電壓技術(shù). 2019(03)
[3]電磁軌道炮樞軌的動(dòng)態(tài)焦?fàn)枱崽匦訹J]. 耿軼青,劉輝,馬增帥,袁建生. 高電壓技術(shù). 2019(03)
[4]金屬化膜電容器壽命預(yù)測(cè)方法[J]. 熊詩(shī)成,魯軍勇,鄭宇鋒,曾德林. 高電壓技術(shù). 2018(07)
[5]兩相永磁被動(dòng)補(bǔ)償脈沖發(fā)電機(jī)研制[J]. 王昊澤,劉昆,張立,朱博峰. 高電壓技術(shù). 2018(03)
[6]電熱化學(xué)發(fā)射中的過(guò)電壓現(xiàn)象與機(jī)理研究[J]. 李貞曉,金涌,田慧,栗保明. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(05)
[7]電磁發(fā)射技術(shù)[J]. 馬偉明,魯軍勇. 國(guó)防科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2016(06)
[8]電磁發(fā)射用13 MJ脈沖功率電源系統(tǒng)研究[J]. 張亞舟,李貞曉,金涌,羅紅娥,田慧,栗保明. 兵工學(xué)報(bào). 2016(05)
[9]電熱化學(xué)發(fā)射中硅堆故障試驗(yàn)分析[J]. 李貞曉,張亞舟,高梁,金涌,栗保明. 兵工學(xué)報(bào). 2015(04)
[10]電磁軌道炮發(fā)射技術(shù)的發(fā)展與現(xiàn)狀[J]. 李軍,嚴(yán)萍,袁偉群. 高電壓技術(shù). 2014(04)
本文編號(hào):3523651
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