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RDX和HMX細化結(jié)晶溶劑與溫度的模擬仿真及制備研究

發(fā)布時間:2020-12-22 10:57
  作為當前綜合性能較為穩(wěn)定的高能單質(zhì)炸藥,RDX和HMX被廣泛應用在推進劑配方和發(fā)射藥中來提高能量特性。但由于其機械感度較高,存在一定的安全隱患,成為它們應用的瓶頸。制備超細球形化炸藥顆粒,可以減少炸藥晶體表面缺陷,降低炸藥受到外界刺激時熱點的產(chǎn)生概率,從而達到降感的目的。本研究借助Materials Studio(MS)軟件搭建雙層吸附模型,并對其進行分子動力學模擬計算結(jié)合能,同時結(jié)合細化試驗,制備得到超細球形化RDX、HMX顆粒,最后對其進行性能表征。本研究的內(nèi)容主要有以下幾個方面:(1)通過MS軟件分析RDX、HMX在真空狀態(tài)下的主要顯露晶面,分別搭建不同溶劑分子與炸藥晶體四個主要顯露面的雙層吸附模型,同時改變不同的溫度條件,對其進行分子動力學模擬,并計算結(jié)合能。根據(jù)結(jié)合能的計算結(jié)果可得,采用噴射法制備RDX時,溶劑宜采用二甲基亞砜,非溶劑溫度為30℃;制備HMX時,溶劑宜采用丙酮,非溶劑溫度為30℃。采用噴霧干燥法制備RDX時,溶劑應采用丁酮,入口溫度為74℃;制備HMX時,應以丙酮為溶劑,入口溫度為57℃。(2)利用噴射裝置,改變?nèi)軇┖蜏囟冗M行RDX和HMX的細化試驗。對制備的... 

【文章來源】:中北大學山西省

【文章頁數(shù)】:80 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

RDX和HMX細化結(jié)晶溶劑與溫度的模擬仿真及制備研究


本文的研究思路

晶體形貌,界面模型,晶體生長,生長界面


隨后分別在 1885 年和 1895 年,Curie態(tài)下晶體形貌與表面能之間的內(nèi)在聯(lián)系為: 常數(shù)332211rrr 到 i 面(其總表面能為i )的垂直距離,這一理。界面模型年提出了完整光滑表面生長機理[47]。該理論認扭折,它能夠吸附處于稀薄環(huán)境相中的原子,子以一定的幾率從生長界面向扭折處作二維擴、未鋪滿原子層的擴展以及生長界面上的二維ossel 晶體生長界面模型圖如 2.2 所示。

螺旋位錯,生長模型


圖 2.3 螺旋位錯生長模型 規(guī)律預測界面上扭折點的統(tǒng)計數(shù)目推導得 BCtanh()2 A B 長速率, 為晶體生長溶液的相對過飽和度。模型 提出了多層界面模型[51]。該理論認為界面為多體相原子。從熱動力學的角度分析,在平衡狀度;在非平衡狀態(tài)下,根據(jù) Gibbs 自由能可以結(jié)構(gòu)類型。習性及其影響因素性

【參考文獻】:
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[3]硝胺類炸藥晶體生長的理論研究[D]. 于海利.西南科技大學 2013
[4]有機—無機層狀材料的生長機理研究[D]. 權(quán)琰.浙江大學 2013
[5]炸藥重結(jié)晶晶形及粒度控制研究[D]. 王元元.中北大學 2009
[6]納米RDX粉體的制備[D]. 劉琴.南京理工大學 2006
[7]不同晶體形貌的超細RDX制備技術(shù)和性能研究[D]. 譙志強.中國工程物理研究院 2005
[8]重結(jié)晶過程中HMX晶形影響因素與球形化工藝研究[D]. 安崇偉.中北大學 2005



本文編號:2931636

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