采用磁控濺射鍍膜技術(shù)制備Al和CuO薄膜,通過掃描電子顯微鏡（SEM）測試薄膜厚度,計算得出Al薄膜沉積速率為2.105nm/min,CuO薄膜沉積速率為3.76nm/min;Al薄膜沉積密度為2.474g/cm3,CuO薄膜沉積密度為5.541g/cm3。利用掃描電子顯微鏡（SEM）對沉積的Al和CuO薄膜表面形貌進(jìn)行分析,薄膜表面光滑平整,連續(xù)性好。利用原子能譜分析（EDS）對Al薄膜表面不同區(qū)域進(jìn)行元素組成分析,大部分薄膜無雜質(zhì)元素,有少量不平整區(qū)域發(fā)生氧化,出現(xiàn)O元素。利用差示掃描量熱法（DSC）對Al/CuO復(fù)合含能薄膜化學(xué)反應(yīng)性進(jìn)行分析,Al過量摩爾百分比為-1.985%時薄膜反應(yīng)放熱量最大,另外納米級試樣的反應(yīng)活性大于亞微米級試樣。利用掩膜法制備Al/CuO含能橋,對橋膜進(jìn)行發(fā)火實驗。利用伏安特性曲線法表征含能橋發(fā)火特性,實驗結(jié)果表明:發(fā)現(xiàn)橋膜的發(fā)火時間和電流達(dá)到峰值的時間隨發(fā)火電壓的增大而增加。利用含能橋反應(yīng)區(qū)破損情況表征發(fā)火電壓對含能橋發(fā)火能量的影響,實驗結(jié)果表明:發(fā)火后橋反應(yīng)區(qū)破損程度隨發(fā)火電壓增大而變大,發(fā)火釋放能量隨發(fā)火電壓增大而增大。含能橋通過了1A1W5mi... 

【文章來源】：沈陽理工大學(xué)遼寧省

【文章頁數(shù)】：83 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

磁控濺射鍍膜儀Fig2.1Magnetronsputterinstrument

圖 2.2 磁控濺射鍍膜儀內(nèi)部構(gòu)造Fig2.2 The internal structure of magnetron sputter instrument昆山市超聲儀器有限公司生產(chǎn)的 KQ-50B 型超聲波洗。江蘇省金壇市榮華儀器制造有限公司生產(chǎn)的 HH-2 描量熱分析試樣。義市予華儀器有限責(zé)任公司生產(chǎn)的 SHz-D（ ）描量熱分析試樣。驗樣品。

第 2 章 薄膜的制備2.4 薄膜沉積速率計算利用上述步驟操作，選用文獻(xiàn)[12]中記載的最佳濺射工藝參數(shù)，如表 2.2 所示。表 2.2Al 和 CuO 濺射工藝Table2.2 Sputtering process of Al and CuO膜材料 工作氣壓/Pa Ar 氣流量/SCCM 濺射功率/WAl 0.4 30~31 150CuO 0.4 30~31 206采用上述工藝參數(shù)制備的含能橋膜在掃描電子顯微鏡下觀察薄膜截面厚度，Al 和 CuO 薄膜截面如圖 2.3 所示，其中 a 為 Al 薄膜截面，b 為 CuO 薄膜截面。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Al/CuO納米線陣列材料的制備及表征[J]. 孫星,張方,王燕蘭,張蕾,張植棟.  火工品. 2014(01)
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碩士論文
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[3]復(fù)合含能橋膜電爆炸的溫度特性研究[D]. 王芳.南京理工大學(xué) 2010
[4]Al/CuO多層含能橋膜的制備與電爆特性研究[D]. 楊洋.南京理工大學(xué) 2010
[5]Al/CuO多層可反應(yīng)性薄膜制備與反應(yīng)性能研究[D]. 黃道伍.南京理工大學(xué) 2009



本文編號：2920638