DNAN基熔鑄炸藥裝藥發(fā)射安全性研究
【學(xué)位單位】:北京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2016
【中圖分類】:TQ560.1
【部分圖文】:
圖 2.1 無(wú)限大平板邊界條件處理示意圖點(diǎn) 所在的微元的厚度為 ,利用熱平衡法計(jì)算第 + 1時(shí)刻邊描述。 + exp ( ) = 邊第一項(xiàng)是相鄰炸藥層通過(guò)熱傳導(dǎo)流入該微元的熱量,左邊第境流入該微元的熱量,左邊第三項(xiàng)是該微元體內(nèi)部熱分解反應(yīng)表示微元體內(nèi)能的增加。無(wú)限大一維平板邊界處的溫度最終可表示為: + + 無(wú)限長(zhǎng)圓柱,其邊界條件處理的情況如圖2.2所示。
無(wú)限大一維平板邊界處的溫度最終可表示為:= + + + (2.17)對(duì)于無(wú)限長(zhǎng)圓柱,其邊界條件處理的情況如圖2.2所示。圖 2.2 無(wú)限長(zhǎng)圓柱邊界條件處理示意圖
= + ( ) + ( ) + (2.21)同樣,對(duì)于球形炸藥,其邊界條件處理的情況如圖2.3所示。圖 2.3 球形炸藥邊界條件處理示意圖圖中O為球心, 為球半徑,虛線表示邊界 點(diǎn)所在微元的中軸線,從環(huán)境流入微元體的熱量為:
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本文編號(hào):2844705
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