多層侵徹炸藥裝藥應(yīng)力仿真與測(cè)試技術(shù)研究
【學(xué)位授予單位】:中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類(lèi)號(hào)】:TP212;TQ560.1
【圖文】:
侵徹多層靶裝藥應(yīng)力的測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)計(jì),首先必章針對(duì)應(yīng)力的多種測(cè)試方法進(jìn)行詳細(xì)的介紹,并最應(yīng)力的測(cè)試方法。力法量應(yīng)力屬于壓阻式測(cè)量的方法,應(yīng)力的改變會(huì)影響于被測(cè)物表面,被測(cè)物發(fā)生形變時(shí)它可以將其應(yīng)變應(yīng)力前,都會(huì)利用粘結(jié)劑將其黏貼在能夠有力學(xué)應(yīng)當(dāng)有外界作用力被施加于該物體上時(shí)其發(fā)生變形,其形狀得以改變,其電阻值也因此發(fā)生變化[32]。這間接得到應(yīng)變情況,通過(guò)應(yīng)變就可以得到應(yīng)力。由較小,因此須有相應(yīng)的后續(xù)電路對(duì)其進(jìn)行放大,可如圖 2.1 為惠斯通電橋電路。
電橋的輸入直流電壓,R1、R2、R3、R4分別為電橋各個(gè)橋臂上的橋處于平衡,即四個(gè)電阻阻值相等或者滿(mǎn)足式(2.2)時(shí),電橋的電R1× R3= R2× R4在惠斯通電橋中的接入方式有四種[33],如圖 2.2(a)、(b)、(c)、(d法、鄰邊半橋測(cè)量法、對(duì)邊半橋測(cè)量法和全橋測(cè)量法。(a) 單臂橋測(cè)量法 (b) 鄰邊半橋測(cè)量法
中北大學(xué)學(xué)位論文作原理F 材料的壓電效應(yīng)就是該應(yīng)力傳感器的工作原理,壓電效應(yīng)逆壓電效應(yīng)[35]。在 PVDF 壓電薄膜上沿著一定的方向?qū)ζ涫┍∧?nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力并且發(fā)生形變,除此之外,PVDF 薄膜的電荷產(chǎn)生,而且應(yīng)力與產(chǎn)生的極化強(qiáng)度成正比。當(dāng)外力被去PVDF 壓電薄膜恢復(fù)成原始不帶電的情況,這種現(xiàn)象稱(chēng)其好與正壓電效應(yīng)相反,它是指在 PVDF 壓電薄膜上有外加再是對(duì)稱(chēng)分布,從而使得 PVDF 壓電薄膜發(fā)生形變,壓電薄沒(méi)有形變的狀態(tài)。如圖 2.3 和圖 2.4 分別是壓電效應(yīng)的兩種
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