發(fā)布時(shí)間：2020-06-27 02:30

【摘要】：進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),軍用電子設(shè)備由綜合化向集成化發(fā)展,武器系統(tǒng)的信息化和智能化大大提高,海、陸、空全覆蓋的信息網(wǎng)絡(luò)逐漸成為各國(guó)攻防的戰(zhàn)略要地。各國(guó)已然將組建信息網(wǎng)絡(luò)的各類電子系統(tǒng)作為攻擊的首要目標(biāo),對(duì)各類電磁脈沖武器的研究逐漸的深入。本文主要針對(duì)電磁脈沖彈的毀傷機(jī)理展開(kāi)研究,在借助matlab和origin分析了電磁脈沖彈的殺傷區(qū)域和威力的基礎(chǔ)上,利用ISE-TCAD仿真軟件對(duì)電磁脈沖彈對(duì)典型的電子器件的毀傷機(jī)理進(jìn)行了電磁仿真分析,為下步研究提供了一定的理論計(jì)算思路和仿真參數(shù)。在本文的計(jì)算過(guò)程中,首先通過(guò)理論分析,計(jì)算了電磁脈沖彈爆炸后50米內(nèi)脈沖信號(hào)的強(qiáng)弱規(guī)律;再通過(guò)ISE-TCAD進(jìn)行電磁仿真,觀察電磁脈沖彈對(duì)目標(biāo)區(qū)域典型電子器件NMOS管的毀傷機(jī)理。通過(guò)觀察發(fā)現(xiàn),電磁脈沖彈爆炸所產(chǎn)生的電磁脈沖對(duì)目標(biāo)區(qū)域NMOS器件的燒毀主要發(fā)生在漏、源區(qū)域與襯底的PN結(jié)處。在電磁脈沖作用下,器件內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度、電流密度和溫度呈現(xiàn)了集中分布并在彎曲處達(dá)到峰值的規(guī)律,同時(shí)伴隨信號(hào)的周期性變化,三者也在整體上升的趨勢(shì)下,呈現(xiàn)周期性變化。另外對(duì)比不同幅值和頻率參數(shù)的電磁脈沖的毀傷效應(yīng),可以發(fā)現(xiàn)電磁脈沖彈損毀電子器件的時(shí)間與脈沖的電壓幅值成正比,與脈沖信號(hào)的頻率成反比。最后,基于本文對(duì)電磁脈沖彈毀傷機(jī)理的研究成果,分析和討論了其對(duì)電磁脈沖彈下一步研究及實(shí)戰(zhàn)的指導(dǎo)作用。
【學(xué)位授予單位】：中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TJ414.7

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2731216