本文關(guān)鍵詞：負(fù)極腐蝕膜對AZ鎂合金點(diǎn)蝕的影響

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【摘要】：為分析鎂合金表面膜的活性位置,建立起鎂負(fù)極的點(diǎn)蝕破壞與電化學(xué)特性的關(guān)聯(lián)性,本文采用循環(huán)伏安和電化學(xué)阻抗技術(shù)研究了AZ鎂合金在MgSO_4溶液中的點(diǎn)蝕行為,從電解質(zhì)濃度、電位掃描速度、陰極極化角度探討腐蝕膜對鎂合金點(diǎn)蝕的影響。電化學(xué)阻抗譜由兩個連續(xù)容抗弧構(gòu)成,其電荷轉(zhuǎn)移電阻和膜電阻均隨MgSO_4溶液濃度增大而減小,當(dāng)MgSO_4溶液濃度為1.5 mol/L時,AZ31B合金表面膜阻抗最低,容易發(fā)生點(diǎn)蝕。掃描速率從3.3 m V/s下降至0.17 m V/s時,AZ63合金點(diǎn)蝕滯后環(huán)面積先增加后減小,擊穿電位負(fù)移�？刂脐帢O極化起始電位負(fù)移,則擊穿電位降低,滯后環(huán)的面積增加,AZ鎂合金的點(diǎn)蝕傾向變大;而在陰極過電位下停留可降低表面膜的腐蝕破壞程度,有利于抑制鎂合金點(diǎn)腐蝕的發(fā)展。
【作者單位】： 重慶大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院;四川理工學(xué)院材料與化學(xué)工程學(xué)院;材料腐蝕與防護(hù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： AZ鎂合金 表面膜 點(diǎn)蝕
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(21273292) 材料腐蝕與防護(hù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目(2014CL12) 四川理工學(xué)院人才引進(jìn)項(xiàng)目(2015RC58)
【分類號】：TG172
【正文快照】： 3.材料腐蝕與防護(hù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,四川自貢643000)聯(lián)系人簡介:陳琳(1975-),女,副教授,主要從事材料腐蝕與防護(hù)研究。E-mail:chenlin3615@126.com鎂電池中鎂負(fù)極的自腐蝕和極化過程中既包含點(diǎn)腐蝕,也表現(xiàn)出明顯的全面腐蝕特征[1]。同時,鎂合金的點(diǎn)蝕機(jī)理與常見金屬也不相同,

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：902544