發(fā)布時(shí)間：2017-09-02 15:05

  本文關(guān)鍵詞：極間距對(duì)6061鋁合金微弧氧化的影響

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【摘要】：目的通過(guò)改變極間距來(lái)控制膜層在試樣表面的局部生長(zhǎng)。方法通過(guò)改變陰極面積來(lái)營(yíng)造均勻與非均勻的電場(chǎng)環(huán)境。分別進(jìn)行微弧氧化試驗(yàn),根據(jù)時(shí)間-電壓曲線、弧光放電現(xiàn)象、膜層厚度分布等,分析了非均勻電場(chǎng)環(huán)境下,極間距對(duì)6061鋁合金微弧誘發(fā)和生長(zhǎng)過(guò)程的影響。結(jié)果非均勻場(chǎng)強(qiáng)下,極間距從2 mm增大到50 mm時(shí),終止電壓先從550 V降低到450 V,隨后又逐漸上升到650 V;微弧誘發(fā)時(shí)間從10 s增加到310 s后,又減小到90 s;中心區(qū)域膜層厚度從7.5μm減小到1.5μm,后又增加到4μm,邊緣區(qū)域的厚度則從0μm緩慢增加到4μm。微弧氧化在較小極間距的情況下,極間距的增大會(huì)降低反應(yīng)速率和提高膜層的均勻性。結(jié)論極間距的變化會(huì)對(duì)膜層的生長(zhǎng)速率、膜層厚度以及膜層的形貌特征產(chǎn)生很大影響。通過(guò)調(diào)整合適的極間距可以控制膜層的生長(zhǎng)區(qū)域,實(shí)現(xiàn)膜層的局部?jī)?yōu)先生長(zhǎng)。
【作者單位】： 南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 鋁合金 微弧氧化 非均勻電場(chǎng) 極間距 電壓 機(jī)理分析
【基金】：江蘇高校優(yōu)勢(shì)學(xué)科建設(shè)工程項(xiàng)目(12KJB430008)~~
【分類號(hào)】：TG174.4
【正文快照】： Received:2016-03-07;Revised:2016-07-23微弧氧化技術(shù)又稱等離子體氧化或陽(yáng)極火花沉積,是在普通陽(yáng)極氧化的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種表面處理技術(shù)[1]。這種方法得到的膜層與基體結(jié)合力強(qiáng),極大地改善了合金的耐磨[2]、耐蝕[3]、耐熱沖擊及絕緣性能[4]。微弧氧化技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了很多

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1 王玉魁,王傳思,韓會(huì)民,高路斯,徐衛(wèi)平;極間距對(duì)PEMSIP法高速鋼基體TiN涂層的影響[J];表面技術(shù);1995年01期

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本文編號(hào)：779238