本文關(guān)鍵詞：退火工藝對(duì)硅通孔填充Cu微結(jié)構(gòu)演化與脹出行為的影響

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【摘要】：采用不同電流密度和外加劑濃度將Cu電鍍填充到硅通孔(TSV)制作晶圓試樣,將試樣置于Ar氣環(huán)境內(nèi)進(jìn)行退火處理.觀測(cè)了硅通孔填充Cu(TSV-Cu)的脹出量和界面完整性,分析了電鍍參數(shù)對(duì)填充Cu微結(jié)構(gòu)(晶粒尺寸)以及微結(jié)構(gòu)對(duì)填充Cu退火脹出量的影響.結(jié)果表明,電流密度和外加劑濃度影響TSV-Cu的晶粒尺寸.電流密度越高,晶粒尺寸越小;外加劑濃度越高,晶粒尺寸越小,但其影響程度不如電流密度顯著.退火后,Cu的晶粒尺寸變大,TSV-Cu發(fā)生脹出,脹出量與Cu晶粒尺寸具有正相關(guān)的關(guān)系.隨著TSV-Cu的脹出,Cu-Si界面發(fā)生開(kāi)裂,裂紋沿界面層中的Cu種子層內(nèi)部延伸.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程與應(yīng)用電子技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 硅通孔 電鍍Cu 退火 微結(jié)構(gòu) 脹出量
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目11272018~~
【分類號(hào)】：TG156.2
【正文快照】： 硅通孔(through-silicon via,TSV)是3D-IC集成的重要技術(shù)[1,2].Cu因其具有優(yōu)越的電性能(低阻抗、高導(dǎo)電率和低電遷移率)成為填充TSV的主流材料.近幾年來(lái),關(guān)于硅通孔填充Cu(簡(jiǎn)稱為TSV-Cu)的力學(xué)行為[3,4]、微結(jié)構(gòu)[5,6]和熱機(jī)械可靠性[7,8]等的研究備受關(guān)注.由于TSV-Cu與其周圍

【相似文獻(xiàn)】

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

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本文編號(hào)：771072