電子產(chǎn)品微型化推動(dòng)封裝技術(shù)由二維（2D）向三維（3D）發(fā)展,而多次回流工藝是3D封裝普遍應(yīng)用的技術(shù)�，F(xiàn)有研究大都將多次回流簡單歸結(jié)為一次回流焊處理,所獲得的多次回流界面反應(yīng)機(jī)制與實(shí)際偏差較大。本文應(yīng)用同步輻射實(shí)時(shí)成像及高壓吹掃技術(shù),分離多次回流釬焊過程各個(gè)階段,并結(jié)合相應(yīng)模擬手段,深入研究釬料合金成分、回流工藝參數(shù)、氣泡缺陷、焊點(diǎn)尺寸下釬焊液固反應(yīng)過程界面金屬間化合物（IMC）生長機(jī)理及動(dòng)力學(xué),清晰地揭示出各Sn/Cu體系釬焊界面反應(yīng)過程,并建立多次回流界面IMC生長模型。論文獲得主要結(jié)論如下:1.Sn/Cu焊點(diǎn)多次回流保溫階段,界面IMC生長控制機(jī)制逐漸從Cu晶界擴(kuò)散轉(zhuǎn)變?yōu)轶w擴(kuò)散,動(dòng)力學(xué)時(shí)間指數(shù)由1/3趨近1/2;冷卻階段,界面IMC受Cu沉積作用快速生長,動(dòng)力學(xué)時(shí)間指數(shù)為1;再加熱階段,Cu溶解度改變使界面IMC發(fā)生部分溶解,動(dòng)力學(xué)時(shí)間指數(shù)為1,與冷卻階段互逆;基于此,建立Sn/Cu體系多次回流界面IMC生長物理模型。Sn-xCu/Cu焊點(diǎn)中Cu濃度升高,界面IMC生長速率增大,晶界擴(kuò)散對(duì)界面IMC生長貢獻(xiàn)相對(duì)減小;Sn-xAg/Cu焊點(diǎn)中,Ag3Sn納米顆粒吸附在界面IMC晶粒表... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：152 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?３Ｄ電子封裝的類別：⑻埋置型，（ｂ）有原基板型，（ｃ）疊層型＿??Ｆｉｇ．?１．１?（ａ）?ｂｕｒｉｅｄ，?（ｂ）?ｓｕｂｓｔｒａｔｅ－ｂａｓｅｄ?ａｎｄ?（ｃ）?ｌａｙｅｒｅｄ?３Ｄ?ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ?ｐａｃｋａｇｉｎｇ?ｔｙｐｅｓ［１０１??－２－??

?大連理工大學(xué)博士學(xué)位論文???在三種封裝方式中，疊層型３Ｄ電子封裝的工藝技術(shù)能夠應(yīng)用于許多成熟的組裝互??連技術(shù)，并發(fā)展了垂直互連技術(shù)，結(jié)構(gòu)更加多元化，是半導(dǎo)體行業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的一??種［１（）］。疊層式三維封裝主要包括硅圓片規(guī)模的疊層、裸芯片疊層和載體疊層三種形式（圖??１．２），其中，硅圓片規(guī)模的疊層形式比較單一，在此僅對(duì)裸芯片疊層和載體疊層進(jìn)行簡??略介紹［１１］。??

ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ?ｂｙ?１４／Ｉ６ｎｍ?Ｆｉｎ－ＦＥＴ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ＡＭＤ’ｓ?ｇｒａｐｈ?ｃａｒｄ?ｍａｄｅ?ｂｙ?Ｈｙｍｘ’ｓ?ＨＢＭ??圖１．４電子產(chǎn)品中的３Ｄ電子封裝技術(shù)應(yīng)用實(shí)例ｔ３２］??Ｆｉｇ．?１．４?Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ?ｅｘａｍｐｌｅｓ?ｏｆ?３Ｄ?ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ?ｐａｃｋａｇｉｎｇ?ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ?ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ＾３２］??Ａ?ｆｏｕｒ?ｓｔａｃｋ?＂?＇．－＿?；？?＾??ｗｉｒｅ－ｂｏｎｄｅｄ??ｄｉｅ?ｐａｃｋａｇｅ?［．夢??，編．％魏焱??一「…ｒ？？ｍｕＴＯｆ＜ｍｉｗ?？?Ｂ??Ｗｉｒｅｂｏｎｄｓ?ａｒｅ?ｒｅｐｌａｃｅｄ?ｂｙ?ＴＳＶｓ?＾??Ｉ?Ａｄｖａｎｔａｇｅｓ：??Ｗｉｒｅ?一?ＴＳＶ—Ｊ＾＾?懿??Ｍｉｃｒｏｂｕｍｐｓ—Ｂｆｅ?■?－?Ｌｏ

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]多次回流釬焊界面Cu6Sn5生長演變及影響因素[D]. 李霜.大連理工大學(xué) 2015
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本文編號(hào)：3604882