本文研發(fā)了Zr-Si常溫封閉劑,該封閉劑不含游離的F^-,具體工藝為:氟鋯酸銨7 g/L,硅酸鈉1 g/L,聚乙二醇0.2 g/L,十二烷基硫酸鈉0.8 g/L,磺基水楊酸0.6 g/L,封閉時間10 min,封閉溫度25℃,pH值5.5。通過SEM分析,Zr-Si封閉試樣表面微孔消失。通過EDS和XPS分析,Zr-Si封閉試樣表面含有Si、Zr、F元素,主要是生成ZrO₂、SiO₂、Al₂SiO₅及其他復雜化合物沉積在微孔中使其封閉;通過電化學測試分析,Zr-Si封閉試樣的耐蝕性得到提高。研發(fā)了以醋酸鋅為主鹽的中溫封閉劑,不含鎳、氟元素,具體工藝為:醋酸鋅9g/L,醋酸錳4 g/L,醋酸鈣4 g/L,醋酸鎂2 g/L,三乙醇胺20 g/L,山梨醇0.3 g/L,硫脲2 g/L,丁二酸1.5 g/L,醋酸銨3 g/L;封閉時間40 min,封閉溫度70℃,pH值6.0。通過SEM分析,醋酸鋅封閉試樣表面呈現(xiàn)花瓣狀晶體結構。通過EDS和XPS分析,醋酸鋅封閉試樣表面含有Zn、Mn、... 

【文章來源】：燕山大學河北省

【文章頁數(shù)】：92 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

多孔型氧化膜生長模型

圖 1-2 多孔型陽極氧化膜的 KHR 模型 年，Murphy[34]認為含水的鋁化合物膠狀顆粒構成了陽極氧化膜 O’sullivan[36]對 KHR 模型進行了修正：認為氧化膜微孔接近圓近似于圓形。K.Wade 在 KHR 模型的基礎上提出了硫酸膜的晶。有學者[38,39]認為氧化膜是蜂窩狀結構，還有學者[40]認為氧化數(shù)學者認為氧化膜的主要成分為非晶態(tài) A12O3，有的還含有]。Trillentend Terrcain 等[42]認為氧化膜外層為結晶體，內層為無認為在硫酸氧化中，隨著電流密度的增加，氧化膜中 A12O3增加極氧化膜的制備 世紀 20 年代鋁陽極氧化技術開始出現(xiàn)[45]。英國的 Bengough 和

X 射線光電子能譜儀 英國 VG 公司電熱鼓風干燥箱 天津市泰斯特儀器有限公司直流穩(wěn)壓電源 深圳鑫立科技有限公司電子天平 上海舜宇恒平科學儀器有限公司電化學工作站 上海辰華儀器公司水浴鍋 上海梅香儀器有限公司.3 陽極氧化膜的制備工藝與封閉.3.1 工藝流程為了得到較好的鋁陽極氧化膜，就要考慮到陽極氧化過程中的每一個程序，嚴按照工藝參數(shù)和操作規(guī)范來進行，以此使陽極氧化的處理效果達到最優(yōu)。本實驗主要工藝流程如下圖 2-1 所示，在每一步完成后要用去離子水仔細清洗試樣。

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3528418