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奧氏體不銹鋼在H 2 S環(huán)境下的腐蝕行為與鈍化膜演化研究

發(fā)布時間:2021-11-04 01:00
  奧氏體不銹鋼具有良好的耐腐蝕性能,是石油工業(yè)中最為常見的耐蝕結(jié)構(gòu)材料。隨著能源需求的增大,石油天然氣的開采環(huán)境越來越惡劣,不銹鋼材料在服役過程中也面臨挑戰(zhàn),研究不銹鋼材料的腐蝕問題兼具理論和現(xiàn)實意義。本文利用腐蝕電化學(xué)測試、高溫高壓腐蝕模擬實驗,結(jié)合X-射線光電子能譜(XPS)、俄歇電子能譜(AES)以及飛行時間二次離子質(zhì)譜(ToF-SIMS)等表面分析方法,研究了 316L奧氏體不銹鋼在典型服役環(huán)境下的腐蝕電化學(xué)行為以及鈍化膜性能衰減機(jī)制。分別討論了 H2S、溫度、Cl-濃度、外加電位、pH值等環(huán)境介質(zhì)因素的影響,明確了 H2S對不銹鋼鈍化膜的損傷機(jī)理,建立了材料宏觀耐蝕性與鈍化膜微觀結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系,分析并討論了環(huán)境因素對鈍化膜成分和結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律。獲得的主要結(jié)論如下:(1)H2S對不銹鋼的腐蝕過程具有顯著的促進(jìn)作用。在含H2S的環(huán)境下,不銹鋼的點蝕電位低,維鈍電流密度大。H2S的主要腐蝕機(jī)理在于其能夠顯著改變鈍化膜成分,抑制氧化物、促進(jìn)硫化物的生成,鈍化膜成分的改變是導(dǎo)致不銹鋼耐蝕性發(fā)生不可逆降低的原因。含硫的鈍化膜中缺陷增多、施主和受主濃度高、穩(wěn)定性差,因此不銹鋼在H2S環(huán)境中耐... 

【文章來源】:北京科技大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:158 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

奧氏體不銹鋼在H 2 S環(huán)境下的腐蝕行為與鈍化膜演化研究


圖2-1金屬表面上鈍化膜雙層結(jié)構(gòu)生成示意圖??Fig.?2-1?Schematic?of?bilayer?passive?film?on?metal?surface??

場模型


在這層極薄氧化物膜上的電場場強(qiáng)可達(dá)106?l〇7V/cm,因此可以認(rèn)??為金屬表面氧化物的形成和鈍化膜的生長是依靠金屬陽離子在膜內(nèi)高電場作??用下由金屬/膜界面向膜/介質(zhì)界面遷移來實現(xiàn),如圖2-3所示。金屬離子穿??過膜層的基本條件是離子本身具有足夠高的能量來克服活化勢壘,而存在于??極薄氧化物膜間的高電場,為離子在電場方向上的遷移提供了便利。其中金??屬原子從金屬基體進(jìn)入鈍化膜,進(jìn)而氧化成為陽離子的反應(yīng)是整個過程的限??制性環(huán)節(jié)。??M/F?p/S??,n,erfaCe?High?ElecticField?lnterface??,飛、???KW?106 ̄107?V/cm?I???^?;??:?:?????圖2-3局場模型意圖??Fig.?2-3?Schematic?diagram?of?the?HFM?model??位置交換模型認(rèn)為在不銹鋼表面的氧化膜生長是通過陰離子,如o離子,??吸附在不銹鋼表面,與金屬陽離子M形成M-0對,然后M-0對發(fā)生旋轉(zhuǎn)導(dǎo)??致所謂“位置交換”來完成

示意圖,交換模型,位置,示意圖


Fig.?2-4?Schematic?diagram?of?the?PEM?model??形核增長模型認(rèn)為當(dāng)一個新相(鈍化膜)在金屬表面形成時,最開始是??在金屬表面離散形核,然后橫向生長至布滿整個表面。新相的形核和生長由??所施加的電壓控制。??點缺陷模型是目前在學(xué)術(shù)界接受度最高的一種理論。模型中對鈍化膜的??認(rèn)識包括以下內(nèi)容:(1)鈍化膜是一種含有大量缺陷的半導(dǎo)體,其中的空位??(包括金屬空位、氧空位和金屬夾雜)作為摻雜物;(2)金屬基體/膜界面和??膜層/溶液界面處于電化學(xué)平衡;(3)通過膜/溶液界面的電位隨著外加電位和??溶液pH呈線性變化;(4)鈍化膜的電場強(qiáng)度恒定,與鈍化膜厚度無關(guān)。鈍??化膜的生長和破裂過程就是點缺陷在靜電場作用下發(fā)生遷移的過程,所以,??鈍化膜生長的動力是膜中缺陷的密度和擴(kuò)散率。在介質(zhì)環(huán)境中的不銹鋼鈍化??膜處于溶解與生成的動態(tài)過程之中,鈍化膜中空位的形成與消失均在界面處??發(fā)生。在陽極極化條件下,氧空位從金屬/內(nèi)層膜界面向外層膜方向遷移,而??金屬離子從外層膜/內(nèi)層膜界面向內(nèi)層膜方向遷移。這些空位的遷移最終可能??

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號:3474688

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