為改善Al-Mg-Si系合金汽車板綜合性能,通過澆鑄法制備出3組合金成分鑄錠,并經(jīng)過均勻化、熱軋、中間退火、冷軋,獲得1 mm厚的合金板材.合金板材經(jīng)560℃固溶30 min后,立即在100℃條件下預(yù)時(shí)效8 h,室溫停放14天,模擬鋁板轉(zhuǎn)運(yùn)存儲(chǔ)過程,并拉伸變形2%,再在185℃下進(jìn)行20 min烘烤處理,實(shí)現(xiàn)烘烤硬化.采用金相顯微鏡、裝備電子背散射衍射的掃描電鏡對合金進(jìn)行顯微組織觀察及織構(gòu)分析,通過萬能電子試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行力學(xué)性能測定,研究不同Mg/Si比和高Zn元素對合金再結(jié)晶組織及織構(gòu)、烘烤硬化性以及腐蝕敏感性的影響.結(jié)果表明,Mg/Si比相等合金再結(jié)晶組織更加均勻細(xì)小,平均晶粒尺寸190μm,存在相對較少的Cube織構(gòu){001}<100>和較多的P型織構(gòu){011}<122>;高M(jìn)g合金、高Si合金局部晶粒粗大,Cube織構(gòu){001}<100>較多,P型織構(gòu){011}<122>較少;預(yù)時(shí)效后,Mg/Si比相等合金強(qiáng)度較高,且烘烤硬化性優(yōu)異,烤漆硬化增量達(dá)到107 MPa;烤漆后,更多的Zn原子擴(kuò)散到晶界上,強(qiáng)化晶界微電流反應(yīng),欠時(shí)效態(tài)Mg/... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 2017,49(11)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

不同Mg/Si比合金再結(jié)晶金相組織

鋁合金再結(jié)晶的形核機(jī)制主要為立方形核、原晶界形核、剪切帶形核和粒子周圍的形變區(qū)激發(fā)形核(PSN)［12－13］．而對于Al－Mg－Si系合金的再結(jié)晶織構(gòu)，一般是由立方帶形核晶粒和PSN形核晶粒相互作用決定的．通過調(diào)節(jié)合金元素配比，使彌散相合理分布，從而有效控制合金的再結(jié)晶織構(gòu)．圖2、圖3分別為不同Mg/Si比合金TD面再結(jié)晶織構(gòu)IPF圖(inversepolefigure，標(biāo)準(zhǔn)反極圖)和ODF圖．由圖可知，合金A中Cube織構(gòu){001}＜100＞體積分?jǐn)?shù)明顯少于合金B(yǎng)和合金C，其織構(gòu)取向密度也相對較低，Cube織構(gòu){001}＜100＞體積分?jǐn)?shù)約為5．72%，但P型織構(gòu){011}＜122＞體積分?jǐn)?shù)較大．合金B(yǎng)和合金C織構(gòu)類型體積分?jǐn)?shù)相似，均為較高含量的Cube織構(gòu){001}＜100＞和較低含量的P型織構(gòu){011}＜122＞．值得一提的是，合金B(yǎng)和合金C中Goss織構(gòu){011}＜100＞體積分?jǐn)?shù)均較高，分別達(dá)到13．7%和19．5%．統(tǒng)計(jì)主要織構(gòu)組分類型及體積分?jǐn)?shù)見表2．!""#$!""#$!""#$%&’!"(%)’!"*%+’!",-./.圖2不同Mg/Si比合金再結(jié)晶織構(gòu)IPFFig．2IPFimagesofrecrystallizationtextureofalloyswithdifferentMg/Siratio!"!!!!"!"#$%!"&#’%!"(#)%!"*圖3不同Mg/Si比合金再結(jié)晶織構(gòu)ODFFig．3ODFimagesofrecrystallizationtextureofthealloyswithdifferentMg/Siratio表2不同Mg/Si比合金再結(jié)晶織構(gòu)體積分?jǐn)?shù)Tab．2VolumefractionofrecrystallizationtextureofalloyswithdifferentMg/Siratio%合金TD面再結(jié)晶織構(gòu)組成及體積分?jǐn)?shù)Cube{001}＜100＞Goss{011}＜100＞P{011}＜122＞Brass{011}＜211＞合金A5．724．019．711．07合金B(yǎng)9．8213．703．111．49合金C8．2819．504．580．04再結(jié)晶過程中，合金A基體上存在的大量均勻彌散第二相顆粒能夠?yàn)樵俳Y(jié)晶提供形核?

鋁合金再結(jié)晶的形核機(jī)制主要為立方形核、原晶界形核、剪切帶形核和粒子周圍的形變區(qū)激發(fā)形核(PSN)［12－13］．而對于Al－Mg－Si系合金的再結(jié)晶織構(gòu)，一般是由立方帶形核晶粒和PSN形核晶粒相互作用決定的．通過調(diào)節(jié)合金元素配比，使彌散相合理分布，從而有效控制合金的再結(jié)晶織構(gòu)．圖2、圖3分別為不同Mg/Si比合金TD面再結(jié)晶織構(gòu)IPF圖(inversepolefigure，標(biāo)準(zhǔn)反極圖)和ODF圖．由圖可知，合金A中Cube織構(gòu){001}＜100＞體積分?jǐn)?shù)明顯少于合金B(yǎng)和合金C，其織構(gòu)取向密度也相對較低，Cube織構(gòu){001}＜100＞體積分?jǐn)?shù)約為5．72%，但P型織構(gòu){011}＜122＞體積分?jǐn)?shù)較大．合金B(yǎng)和合金C織構(gòu)類型體積分?jǐn)?shù)相似，均為較高含量的Cube織構(gòu){001}＜100＞和較低含量的P型織構(gòu){011}＜122＞．值得一提的是，合金B(yǎng)和合金C中Goss織構(gòu){011}＜100＞體積分?jǐn)?shù)均較高，分別達(dá)到13．7%和19．5%．統(tǒng)計(jì)主要織構(gòu)組分類型及體積分?jǐn)?shù)見表2．!""#$!""#$!""#$%&’!"(%)’!"*%+’!",-./.圖2不同Mg/Si比合金再結(jié)晶織構(gòu)IPFFig．2IPFimagesofrecrystallizationtextureofalloyswithdifferentMg/Siratio!"!!!!"!"#$%!"&#’%!"(#)%!"*圖3不同Mg/Si比合金再結(jié)晶織構(gòu)ODFFig．3ODFimagesofrecrystallizationtextureofthealloyswithdifferentMg/Siratio表2不同Mg/Si比合金再結(jié)晶織構(gòu)體積分?jǐn)?shù)Tab．2VolumefractionofrecrystallizationtextureofalloyswithdifferentMg/Siratio%合金TD面再結(jié)晶織構(gòu)組成及體積分?jǐn)?shù)Cube{001}＜100＞Goss{011}＜100＞P{011}＜122＞Brass{011}＜211＞合金A5．724．019．711．07合金B(yǎng)9．8213．703．111．49合金C8．2819．504．580．04再結(jié)晶過程中，合金A基體上存在的大量均勻彌散第二相顆粒能夠?yàn)樵俳Y(jié)晶提供形核?

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3316639