電解拋光裝置簡單,過程迅速,但加工精度僅在微米級別。離子拋光具有原子、分子量級的加工精度,但設(shè)備復(fù)雜,耗時較長。本文結(jié)合兩種拋光方法的特點,提出了一種新的針對TC4合金的復(fù)合拋光工藝。以電解拋光作為粗拋手段,離子拋光作為精拋手段,以期實現(xiàn)TC4合金的快速精密拋光。在電解拋光工藝探究中,先通過測量陽極極化曲線確定好合適的電解電壓,再采用單因素試驗探究溶液配比及電解時間的影響,最終通過正交實驗確定最優(yōu)參數(shù)。在離子拋光工藝探究中,先是通過對粗糙度在1.5μm的表面,直接進行分段高能量大束流離子拋光,確定最優(yōu)拋光時間,作為參照與復(fù)合拋光工藝所需時間進行對比。然后在電解拋光件的基礎(chǔ)上,從離子能量、離子束流、拋光時間三個方面對復(fù)合拋光工藝中的離子拋光最優(yōu)工藝參數(shù)進行了探究。本文主要通過激光共聚焦顯微鏡和原子力顯微鏡對工件表面形貌和粗糙度進行測量,配合掃描電子顯微鏡對表面成分進行檢測。測量拋光速率時,使用十萬分之一精密天平對不同時刻工件重量的減少進行測量以表征速率。研究發(fā)現(xiàn),高氯酸甲醇電解液體系的最優(yōu)電解拋光工藝為高氯酸與甲醇體積比1:11,電解電壓32V,電解時間55s。在最優(yōu)電解拋光參數(shù)下,電解... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

心室輔助裝置示意圖

圖 1-2 機械拋光與化學(xué)拋光 SEM 圖對比[9]a) 機械拋光 b) 化學(xué)拋光化學(xué)機械拋光（chemical mechanical polishing），是一種將機械拋光和化光結(jié)合起來的方法�；瘜W(xué)機械拋光是將工件通過夾具固定在拋光機上，向光表面和拋光盤之間通入拋光液，拋光液一般由化學(xué)溶液及顆粒物組成[zdemir 等人[11]使用不同大小 AL2O3顆粒配合不同濃度的 H2O2溶液，對鈦進行拋光，表面粗糙度最低可降至 87nm，如圖 1-3 所示。同時，化學(xué)機械在鈦合金表面形成的氧化膜有助于抑制細菌生長，控制細胞附著，提高了的生物相容性。

圖 1-2 機械拋光與化學(xué)拋光 SEM 圖對比[9]a) 機械拋光 b) 化學(xué)拋光機械拋光（chemical mechanical polishing），是一種將機械拋起來的方法�；瘜W(xué)機械拋光是將工件通過夾具固定在拋光機和拋光盤之間通入拋光液，拋光液一般由化學(xué)溶液及顆粒等人[11]使用不同大小 AL2O3顆粒配合不同濃度的 H2O2溶液光，表面粗糙度最低可降至 87nm，如圖 1-3 所示。同時，化金表面形成的氧化膜有助于抑制細菌生長，控制細胞附著，相容性。) b)


本文編號：3235589