為了深入理解含Re鎳基單晶高溫合金高溫低應力蠕變初期的蠕變行為和強化機制,本文利用電子顯微學和能譜學等方法,從介觀至原子尺度研究了DD6單晶高溫合金在1100℃/140 MPa蠕變15 min后的界面位錯組態(tài)、界面位錯核心結構以及界面位錯附近的合金元素分布情況.結果表明蠕變初期合金中的位錯密度較低,只在局部形成位錯網(wǎng)絡,因此蠕變初期γ此蠕變界面形成的V形和臺階狀凸起結構數(shù)量明顯低于穩(wěn)態(tài)蠕變初期（12h）時的,而且臺階狀凸起結構（對應a/2<101>60°混合型位錯）明顯多于V形凸起結構（對應a/2<110>刃型位錯,由位錯反應形成）.蠕變初期形成的特殊形狀的臺階狀凸起結構是由于界面位錯沿γ/γ′界面運動形成的,而Re等合金元素的共偏聚進一步驗證了Re元素偏聚同界面位錯的交互作用. 

【文章來源】：中國科學:技術科學. 2016,46(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁


本文編號：3067797