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鎂合金表面鈰鹽摻雜硅烷膜的腐蝕電化學(xué)行為

發(fā)布時間:2021-02-22 10:19
  目的為進一步提升鎂合金表面常規(guī)硅烷膜的耐蝕性能。方法在γ-氨丙基三乙氧基硅烷溶液中摻雜0.50 g/L硝酸鈰,采用簡單化學(xué)浸漬處理,在AZ91D鎂合金基體表面制備了鈰鹽摻雜硅烷膜。借助掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了鈰鹽摻雜前后硅烷膜的表面微觀形貌,通過開路電位-時間曲線、電化學(xué)交流阻抗譜(EIS)和中性鹽霧試驗(NSS)研究了鈰鹽摻雜對5%Na Cl溶液中硅烷膜耐蝕性能的影響。結(jié)果鈰鹽摻雜硅烷膜比普通硅烷膜更厚且平整,其致密性、均勻一致性較好,完全覆蓋了鎂合金基體,已看不到磨痕。鈰鹽摻雜硅烷膜的穩(wěn)定電位約為-1.31 V,且需要的穩(wěn)定時間最長。鈰鹽摻雜硅烷膜具有更大的低頻阻抗數(shù)值,有效遏制了侵蝕性粒子向鎂合金基體的遷移和擴散,避免了鎂合金基體發(fā)生陽極溶解反應(yīng)。結(jié)論采用向硅烷溶液中添加硝酸鈰的方法,能夠在AZ91D鎂合金表面制備出鈰鹽摻雜硅烷膜。由于鈰離子在某種程度上修復(fù)了硅烷膜層中的微裂紋和缺陷,顯著提升了硅烷膜的耐蝕能力。 

【文章來源】:表面技術(shù). 2017,46(09)北大核心

【文章頁數(shù)】:6 頁

【參考文獻】:
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本文編號:3045844

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