細(xì)長(zhǎng)不銹鋼管的輝光放電特性及內(nèi)壁氮化研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-27 19:02
因奧氏體不銹鋼具有優(yōu)良的物理和力學(xué)性能,如耐腐蝕、塑性良好、光潔度高、表面美觀等,在工業(yè)生產(chǎn)中獲得廣泛應(yīng)用。但奧氏體不銹鋼也具有硬度低、耐磨性差等劣勢(shì),嚴(yán)重影響其使用壽命,給企業(yè)造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。奧氏體不銹鋼無(wú)法采用傳統(tǒng)的熱處理等工藝改善其性能,表面改性成為了提高不銹鋼表面硬度及耐磨性的最佳手段。相較于平面件,管道的服役條件更為苛刻,更容易受到損壞,管內(nèi)壁的處理也更加困難,因此,我們選擇不銹鋼管作為研究對(duì)象。為提高不銹鋼管內(nèi)壁的性能,采用輝光等離子氮化工藝。為實(shí)現(xiàn)管內(nèi)均勻氮化,對(duì)輝光放電的裝置進(jìn)行了改進(jìn),以細(xì)絲作為陽(yáng)極,穿過(guò)不銹鋼管內(nèi)部,實(shí)現(xiàn)各處均能實(shí)現(xiàn)放電。為深入了解等離子氮化的特性,研究了輝光放電的特性,以及等離子體發(fā)射光譜及等離子氮化的相關(guān)工藝。不銹鋼管的相關(guān)參數(shù)為:內(nèi)徑10mm,外徑14mm,長(zhǎng)度200mm,材質(zhì)為304奧氏體不銹鋼。采用脈沖電壓電源,通過(guò)改變電壓幅值、占空比、放電氣壓等條件,研究了放電特性,包括脈沖電流波形、平均電流、峰值電流以及電流軸向分布。結(jié)果表明,隨著電壓的提高,平均電流和峰值電流均上升,相同條件下純Ar放電電流最大,純N2放電電...
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:83 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
輝光放電實(shí)圖
a) 正常氮化內(nèi)壁b)異常氮化內(nèi)壁圖5-1 不銹鋼管內(nèi)壁氮化5.1 不同脈沖電壓下的氮化表 5-2 為研究脈沖電壓對(duì)離子氮化影響的參數(shù)設(shè)定。圖 5-2 為在 500V 和 600V下的基體氮化截面。當(dāng)脈沖電壓為 600V 時(shí),可以看到管內(nèi)壁界面處明顯的滲氮層,厚度為 5μm,生長(zhǎng)速率達(dá)到 5μm/h;而當(dāng)脈沖電壓為 500V 時(shí),管內(nèi)壁界面處幾乎看不到滲氮層。分析原因,認(rèn)為是電壓不同導(dǎo)致的管內(nèi)壁溫度差異造成的。等離子體轟擊工件內(nèi)壁,能量一方面轉(zhuǎn)變?yōu)榛w的能量,提高不銹鋼管的溫度,另一方面使含 N 的活性粒子進(jìn)入到基體表層,形成滲氮層。根據(jù)第三章的內(nèi)容可以得出,脈沖電壓越高
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文化層厚度范圍內(nèi)含量明顯提高,同樣在 3μm 處含量達(dá)到基體水平。而根據(jù)圖 5-3c),N 元素在氮化層范圍內(nèi)含量上升,在 3μm 之前,N 元素含量不斷升高,在 3μm處含量達(dá)到最高,隨后 N 含量開(kāi)始下降,在 6~7μm 處含量降到基體水平?梢(jiàn)在本實(shí)驗(yàn)參數(shù)下實(shí)現(xiàn)了管內(nèi)壁氮化。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]熱噴涂制備固體氧化物燃料電池電解質(zhì)層的研究進(jìn)展[J]. 馮瀟,趙雪雪,邢亞哲. 表面技術(shù). 2019(04)
[2]細(xì)長(zhǎng)石英管內(nèi)直流放電等離子體研究[J]. 王權(quán),王波,劉云輝,張?zhí)煲? 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(04)
[3]大長(zhǎng)徑比油管離子滲氮技術(shù)生產(chǎn)工藝技術(shù)研究[J]. 陳全剛,牛君,張慶純,榮寶晶,陳永生. 石化技術(shù). 2018(01)
[4]陰極輝光放電電壓對(duì)離子滲氮的影響[J]. 劉凱強(qiáng),周夢(mèng)飛,趙程. 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(06)
[5]32Cr2Mo2NiVNb鋼鹽浴氮化工藝[J]. 高志恒,付揚(yáng)帆. 表面技術(shù). 2015(10)
[6]低溫等離子體輔助燃燒的研究進(jìn)展、關(guān)鍵問(wèn)題及展望[J]. 李平,穆海寶,喻琳,姚聰偉,許桂敏,張冠軍. 高電壓技術(shù). 2015(06)
[7]國(guó)內(nèi)外管道腐蝕與防護(hù)研究進(jìn)展[J]. 潘一,孫林,楊雙春,于斌. 腐蝕科學(xué)與防護(hù)技術(shù). 2014(01)
[8]離子氮化設(shè)備簡(jiǎn)介[J]. 熱處理技術(shù)與裝備. 2013(02)
[9]利用直流輝光放電等離子體改善聚氯乙烯細(xì)管內(nèi)表面親水性的研究[J]. 劉雪華,溫小瓊,汪俊,劉貴師. 真空. 2009(06)
[10]等離子體概念、分類及基本特性[J]. 王利娟. 宜賓學(xué)院學(xué)報(bào). 2009(06)
博士論文
[1]低壓電弧等離子體滲氮奧氏體不銹鋼的研究[D]. 楊文進(jìn).中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2017
碩士論文
[1]ZnO單晶中離子注入雜質(zhì)與缺陷的發(fā)光光譜學(xué)研究[D]. 朱影.浙江大學(xué) 2018
[2]交流電暈放電等離子體處理染料廢水的研究[D]. 李堅(jiān).南昌大學(xué) 2018
[3]大氣壓氦氣介質(zhì)阻擋低電壓下放電形式的轉(zhuǎn)換[D]. 韓玉英.華南理工大學(xué) 2018
[4]大氣壓直流輝光放電等離子體氣體溫度場(chǎng)診斷研究[D]. 徐樂(lè).重慶大學(xué) 2018
[5]奧氏體不銹鋼離子滲N及離子滲N/鍍CrN組織性能研究[D]. 胡秋晨.蘭州理工大學(xué) 2018
[6]細(xì)長(zhǎng)圓管內(nèi)低氣壓氬氣射頻輝光放電中放電結(jié)構(gòu)的數(shù)值研究[D]. 李力波.大連理工大學(xué) 2017
[7]電火花連鎖微波放電等離子體裝置及機(jī)理研究[D]. 常海軍.安徽理工大學(xué) 2017
[8]脈沖諧振電弧微波放電點(diǎn)火助燃裝置研究[D]. 李翔.安徽理工大學(xué) 2017
[9]大氣壓微波等離子體裝置的研制[D]. 楊智.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[10]極板間等離子發(fā)生器的氮等離子光譜診斷[D]. 陳彪.遼寧大學(xué) 2016
本文編號(hào):3003571
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:83 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
輝光放電實(shí)圖
a) 正常氮化內(nèi)壁b)異常氮化內(nèi)壁圖5-1 不銹鋼管內(nèi)壁氮化5.1 不同脈沖電壓下的氮化表 5-2 為研究脈沖電壓對(duì)離子氮化影響的參數(shù)設(shè)定。圖 5-2 為在 500V 和 600V下的基體氮化截面。當(dāng)脈沖電壓為 600V 時(shí),可以看到管內(nèi)壁界面處明顯的滲氮層,厚度為 5μm,生長(zhǎng)速率達(dá)到 5μm/h;而當(dāng)脈沖電壓為 500V 時(shí),管內(nèi)壁界面處幾乎看不到滲氮層。分析原因,認(rèn)為是電壓不同導(dǎo)致的管內(nèi)壁溫度差異造成的。等離子體轟擊工件內(nèi)壁,能量一方面轉(zhuǎn)變?yōu)榛w的能量,提高不銹鋼管的溫度,另一方面使含 N 的活性粒子進(jìn)入到基體表層,形成滲氮層。根據(jù)第三章的內(nèi)容可以得出,脈沖電壓越高
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文化層厚度范圍內(nèi)含量明顯提高,同樣在 3μm 處含量達(dá)到基體水平。而根據(jù)圖 5-3c),N 元素在氮化層范圍內(nèi)含量上升,在 3μm 之前,N 元素含量不斷升高,在 3μm處含量達(dá)到最高,隨后 N 含量開(kāi)始下降,在 6~7μm 處含量降到基體水平?梢(jiàn)在本實(shí)驗(yàn)參數(shù)下實(shí)現(xiàn)了管內(nèi)壁氮化。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]熱噴涂制備固體氧化物燃料電池電解質(zhì)層的研究進(jìn)展[J]. 馮瀟,趙雪雪,邢亞哲. 表面技術(shù). 2019(04)
[2]細(xì)長(zhǎng)石英管內(nèi)直流放電等離子體研究[J]. 王權(quán),王波,劉云輝,張?zhí)煲? 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(04)
[3]大長(zhǎng)徑比油管離子滲氮技術(shù)生產(chǎn)工藝技術(shù)研究[J]. 陳全剛,牛君,張慶純,榮寶晶,陳永生. 石化技術(shù). 2018(01)
[4]陰極輝光放電電壓對(duì)離子滲氮的影響[J]. 劉凱強(qiáng),周夢(mèng)飛,趙程. 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(06)
[5]32Cr2Mo2NiVNb鋼鹽浴氮化工藝[J]. 高志恒,付揚(yáng)帆. 表面技術(shù). 2015(10)
[6]低溫等離子體輔助燃燒的研究進(jìn)展、關(guān)鍵問(wèn)題及展望[J]. 李平,穆海寶,喻琳,姚聰偉,許桂敏,張冠軍. 高電壓技術(shù). 2015(06)
[7]國(guó)內(nèi)外管道腐蝕與防護(hù)研究進(jìn)展[J]. 潘一,孫林,楊雙春,于斌. 腐蝕科學(xué)與防護(hù)技術(shù). 2014(01)
[8]離子氮化設(shè)備簡(jiǎn)介[J]. 熱處理技術(shù)與裝備. 2013(02)
[9]利用直流輝光放電等離子體改善聚氯乙烯細(xì)管內(nèi)表面親水性的研究[J]. 劉雪華,溫小瓊,汪俊,劉貴師. 真空. 2009(06)
[10]等離子體概念、分類及基本特性[J]. 王利娟. 宜賓學(xué)院學(xué)報(bào). 2009(06)
博士論文
[1]低壓電弧等離子體滲氮奧氏體不銹鋼的研究[D]. 楊文進(jìn).中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2017
碩士論文
[1]ZnO單晶中離子注入雜質(zhì)與缺陷的發(fā)光光譜學(xué)研究[D]. 朱影.浙江大學(xué) 2018
[2]交流電暈放電等離子體處理染料廢水的研究[D]. 李堅(jiān).南昌大學(xué) 2018
[3]大氣壓氦氣介質(zhì)阻擋低電壓下放電形式的轉(zhuǎn)換[D]. 韓玉英.華南理工大學(xué) 2018
[4]大氣壓直流輝光放電等離子體氣體溫度場(chǎng)診斷研究[D]. 徐樂(lè).重慶大學(xué) 2018
[5]奧氏體不銹鋼離子滲N及離子滲N/鍍CrN組織性能研究[D]. 胡秋晨.蘭州理工大學(xué) 2018
[6]細(xì)長(zhǎng)圓管內(nèi)低氣壓氬氣射頻輝光放電中放電結(jié)構(gòu)的數(shù)值研究[D]. 李力波.大連理工大學(xué) 2017
[7]電火花連鎖微波放電等離子體裝置及機(jī)理研究[D]. 常海軍.安徽理工大學(xué) 2017
[8]脈沖諧振電弧微波放電點(diǎn)火助燃裝置研究[D]. 李翔.安徽理工大學(xué) 2017
[9]大氣壓微波等離子體裝置的研制[D]. 楊智.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[10]極板間等離子發(fā)生器的氮等離子光譜診斷[D]. 陳彪.遼寧大學(xué) 2016
本文編號(hào):3003571
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jiagonggongyi/3003571.html
最近更新
教材專著