設(shè)計合成了以具有放射狀介孔孔道（孔徑約2.6 nm）的介孔氧化硅（mSiO₂）微球（粒徑約300 nm）為內(nèi)核、以CeO₂納米顆粒為包覆層（殼厚為15²0 nm）的m SiO₂/CeO₂復(fù)合顆粒（粒徑在330³40 nm）,使用場發(fā)射掃描電鏡、透射電鏡、X射線衍射、傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜和氮氣吸脫附等手段表征了樣品的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明,使用以實心氧化硅（sSiO₂）為內(nèi)核的sSiO₂/CeO₂復(fù)合顆粒拋光的熱氧化硅片其表面粗糙度均方根值（Root-mean-square roughness,RMS）為0.309 nm,材料的去除率（Material removal rate,MRR）為24 nm/min)。mSiO₂/CeO₂復(fù)合顆粒有利于得到更低的氧化硅片拋光表面粗糙度（RMS=0.267 nm）和更高的拋光速率（MRR=45 nm/min）,且能避免出... 

【文章來源】：材料研究學(xué)報. 2017,31(06)北大核心

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 實驗方法
    1.1 樣品的制備和性能表征
    1.2 拋光試驗和性能評價
2 結(jié)果和討論
    2.1 m Si O2的結(jié)構(gòu)
    2.2 復(fù)合顆粒的結(jié)構(gòu)
    2.3 復(fù)合顆粒的拋光性能
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：2978161