Sn基釬料是電子封裝中常用的互連材料,Sn-3.5Ag釬料因具備較好的力學(xué)性能和潤濕性能而在球柵陣列（Ball Grid Array,BGA）、芯片尺寸封裝（Chip Scale Packaging,CSP）等封裝結(jié)構(gòu)中有著較廣泛的應(yīng)用。在Cu/Sn-3.5Ag/Cu焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)中,Sn晶粒數(shù)量是有限的,有時(shí)甚至僅含有一個(gè)Sn晶粒。Sn為體心四方結(jié)構(gòu),其物理和力學(xué)性能沿不同晶向存在較大差異,這會(huì)造成封裝焊點(diǎn)服役性能的各向異性,嚴(yán)重影響器件的可靠性。然而,封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命往往是由性能最薄弱的焊點(diǎn)決定的。本文研究了不同間距（300、100、50μm）Cu/Sn-3.5Ag/Cu焊點(diǎn)在不同冷卻速率（1.5、0.5、0.1 ℃/s）下的凝固組織,分析了釬料中Sn晶粒數(shù)量與取向及金屬間化合物（Intermetallic Compound,IMC）的特征。研究表明:1.焊點(diǎn)間距和冷卻速率均會(huì)影響焊點(diǎn)的Sn晶粒數(shù)量�？傮w上,Sn晶粒數(shù)量隨焊點(diǎn)間距減小而減少。當(dāng)焊點(diǎn)間距為300μm和100μm時(shí),在0.5 ℃/s的冷卻速率下,Sn晶粒數(shù)量出現(xiàn)了最小值;而當(dāng)焊點(diǎn)間距為50μm時(shí),Sn晶粒數(shù)量受冷卻速率影響... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 電子封裝技術(shù)概述
    1.2 互連焊點(diǎn)β-Sn取向的各向異性問題
    1.3 互連焊點(diǎn)的凝固行為及β-Sn晶粒取向調(diào)控
        1.3.1 互連焊點(diǎn)的凝固行為概述
        1.3.2 通過化合物調(diào)控Sn取向
        1.3.3 通過溫度梯度調(diào)控Sn取向
6Sn₅和Ag₃Sn金屬間化合物的特性">    1.4 Cu₆Sn₅和Ag₃Sn金屬間化合物的特性
    1.5 研究目的和研究內(nèi)容
2 樣品制備與實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)樣品制備
    2.2 線性焊點(diǎn)回流實(shí)驗(yàn)
    2.3 微觀組織表征及數(shù)據(jù)處理
3 不同間距、冷卻速率下的焊點(diǎn)微結(jié)構(gòu)
    3.1 300μm間距焊點(diǎn)在不同冷卻速率下的凝固組織
        3.1.1 1.5 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
        3.1.2 0.5 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
        3.1.3 0.1 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
    3.2 100 μm間距焊點(diǎn)在不同冷卻速率下的凝固組織
        3.2.1 1.5 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
        3.2.2 0.5 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
        3.2.3 0.1 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
    3.3 50 μm間距焊點(diǎn)在不同冷卻速率下的凝固組織
        3.3.1 1.5 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
        3.3.2 0.5 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
        3.3.3 0.1 ℃/s冷卻速率下的凝固組織
    3.4 不同冷卻速率下的焊點(diǎn)組織分析
    3.5 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Role of grain orientation in the failure of Sn-based solder joints under thermomechanical fatigue[J]. Jing HAN, Hongtao CHEN and Mingyu LI ( State Key Laboratory of Advanced Welding Production Technology, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen 518055, China).  Acta Metallurgica Sinica(English Letters). 2012(03)

博士論文
[1]溫度梯度對微焊點(diǎn)界面反應(yīng)及晶粒取向的影響[D]. 鐘毅.大連理工大學(xué) 2018

碩士論文
[1]Cu/Sn-xZn/Ni微焊點(diǎn)界面反應(yīng)研究[D]. 王明耀.大連理工大學(xué) 2018
[2]單晶Cu/Sn/Cu微焊點(diǎn)熱遷移行為及其對界面反應(yīng)的影響[D]. 劉春迎.大連理工大學(xué) 2018
[3]Sn晶粒擴(kuò)散各向異性對微焊點(diǎn)電遷移行為影響[D]. 趙建飛.大連理工大學(xué) 2016



本文編號：2943876