TA2純鈦陽極氧化薄膜的制備及其耐腐蝕性能研究
【圖文】:
Fig.邋1.4邋Oxygen邋precipitation邋and邋the邋formation邋process邋of邋porous邋oxide邋film逡逑通過電子電流理論解釋清楚了電流-時(shí)間變化曲線圖。接下來將通過氧氣泡模逡逑型模擬多孔氧化膜的生成過程。圖1.4中的第1階段,由于電子電流產(chǎn)生,導(dǎo)致逡逑電流密度的下降趨勢減慢,氧氣出現(xiàn)并有向外逸出的趨勢。盡管總電流中有一部逡逑分是電子電流,但仍然還是離子電流占主導(dǎo);氧氣泡逸出的同時(shí)氧化物也在生長,逡逑這樣就會造成氧化膜圍繞氧氣泡在生長(第2階段)。到了第3階段,氧氣泡完全逡逑逸出,電解液進(jìn)入氧氣留下的模具內(nèi),在電解液的作用下形成孔洞胚胎。進(jìn)入第逡逑4階段,,孔洞胚胎長大形成微孔。逡逑1.3.2鈦納米管陽極氧化薄膜的形成機(jī)理逡逑在含氟離子的溶液中,對鈦和鈾電極施加電壓,將形成鈦納米管薄膜。陽極逡逑氧化法制備鈦納米管薄膜的電解液體系大致歷經(jīng)了四代。第一代是直接采用含氫逡逑氟酸的水溶液作為電解液,此種方法因氫氟酸具有較強(qiáng)的溶解作用導(dǎo)致得到的納逡逑米管陣列長度較為有限。第二代是以氟化鹽水溶液替代氫氟酸作為電解液
第一章緒論逡逑人研宄發(fā)現(xiàn)在180邋V以上的高電壓下得到多孔狀形貌的陽極氧化膜,在130邋V電逡逑位下得到溝渠狀的膜層形貌,如圖1.7。不同的形貌將影響膜層的耐腐蝕性能,逡逑孔隙率較低、較厚的膜層對應(yīng)更好的耐蝕性[18]。王建民等人在氫氧化鈉電解液中逡逑研宄了電位和NaF濃度對鈦合金陽極氧化膜性能的影響。結(jié)果表明:隨著電壓和逡逑NaF濃度的升高,氧化膜的厚度和耐腐蝕性也隨之增大[33]。師秀萍等人[34]研究了逡逑鈦的磷酸陽極氧化工藝,實(shí)驗(yàn)表明電壓為影響氧化膜顏色及形貌的主要因素。李逡逑玉海等人[35]進(jìn)行了邋TA2純鈦材陽極氧化著色工藝的研宄,結(jié)果表明電位是決定膜逡逑層顏色的主要因素,升高或者降低電位可以得到不同顏色的膜層;電位較低時(shí),逡逑每升高幾伏就有相對明顯的色澤變化;隨著電位的升高,需要加更大的電壓才能逡逑觀察到明顯的色澤變化。膜層的顏色與膜層的厚度密不可分,同時(shí)膜厚度又決定逡逑了膜層的機(jī)械性能及使用性能。逡逑許多的研宄者分析了陽極氧化電位對膜層的影響得出了相似的結(jié)果:電壓是逡逑影響氧化膜形貌表征及性能的最主要因素,電位越大,膜層越厚,其耐腐蝕性能逡逑也隨之提高。逡逑10邋|.im邐5邋|j.m逡逑圖1.7恒電位模式下獲得的陽極氧化膜的表面形貌圖(a)邋130邋V
【學(xué)位授予單位】:昆明理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TG174.4
【參考文獻(xiàn)】
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