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TC4鈦合金室溫滯后回彈研究

發(fā)布時(shí)間:2019-09-21 08:55
【摘要】:為了探明TC4鈦合金室溫下的滯后回彈效應(yīng),采用萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行了不同預(yù)應(yīng)變和不同加載速率的滯后回彈實(shí)驗(yàn);為了揭示滯后回彈變化規(guī)律的微觀機(jī)理,采用OM和TEM對(duì)微觀組織進(jìn)行表征。結(jié)果表明:TC4鈦合金經(jīng)過(guò)室溫塑性變形卸載后尺寸繼續(xù)變化,具有明顯的滯后回彈效應(yīng)。隨著預(yù)應(yīng)變以及加載應(yīng)變率的提高,滯后回彈應(yīng)變(TDSS)的絕對(duì)值均呈現(xiàn)指數(shù)增長(zhǎng)。組織分析表明,"流線型"光鏡組織、位錯(cuò)塞積以及孿晶組織的演變與滯后回彈變化規(guī)律正相關(guān)。
【圖文】:

曲線,預(yù)應(yīng)變,光鏡,試樣


strainvaryingwithloadingstrainrate曲線?芍(dāng)加載應(yīng)變率為9.061×10-4s-1時(shí),10h累積的滯后回彈應(yīng)變?yōu)?.0×10-4,略高于加載應(yīng)變率為1.709×10-4s-1時(shí)的3.8×10-4。當(dāng)加載應(yīng)變率進(jìn)一步增加到1.810×10-3s-1時(shí),滯后回彈應(yīng)變?yōu)?.2×10-4,相較于前一加載應(yīng)變率有30%的增幅。因而滯后回彈應(yīng)變隨加載應(yīng)變率的提高也呈現(xiàn)指數(shù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。采用指數(shù)函數(shù)對(duì)上述變化規(guī)律進(jìn)行擬合,擬合結(jié)果為:4r[0.04409exp(/0.000517)3.7386]10(2)式中,為加載應(yīng)變率。2.4組織分析圖6a為T(mén)C4原始試樣的光鏡組織,其中α(hcp)相為淺色相,β(bcc)相為深色相[9]。可知,,原始組織中α與β兩相分布均勻,晶粒尺寸細(xì)小,分別約為3和1μm。圖6b~圖6d分別為PI-2、PI-5和PI-8試樣卸載后的OM組織,加載方向沿水平方向。可知,隨預(yù)應(yīng)變的增大,β相呈“流線型”分布的組織增多。這說(shuō)明在較高預(yù)應(yīng)變下,基體α相內(nèi)位錯(cuò)增殖以及更多的滑移系開(kāi)動(dòng),沿加載方向產(chǎn)生較大的應(yīng)變,因而使β相隨α相變形呈“流線型”分布;同時(shí),“流線型”組織與“非流線型”組織之間的應(yīng)變梯度將產(chǎn)生與滯后回彈相關(guān)的幾何必須位錯(cuò)(GNDs)[7,10]。圖7a和圖7b分別為不同加載應(yīng)變率試樣的OM組織?芍,隨加載應(yīng)變率的增大,β相呈流線分布的組織也增多。將試樣的組織形貌(圖6和圖7)與滯后回彈應(yīng)變(圖3和圖5)對(duì)應(yīng)可知,“流線型”組織與滯后回彈應(yīng)變具有一定的相關(guān)性,即“流線型”組織增多,滯后回彈應(yīng)變的絕對(duì)值增加。圖6不同預(yù)應(yīng)變?cè)嚇拥墓忡R組織Fig.6Opticalmicrostructuresoforiginal(a),PI-2(b),PI-5(c)andPI-8(d)samplesforTC4titaniumalloyaαβShortstreamlineLongstreamlineModeststreamline5μmb

形貌,孿晶,試樣,形貌


囡?塑性變形過(guò)程中,易產(chǎn)生變形孿晶。通過(guò)進(jìn)一步觀測(cè)PI-5和PI-10試樣的透射電鏡組織,發(fā)現(xiàn)組織中含有如圖9a和圖9b所示的孿晶形貌?芍A(yù)應(yīng)變的提高在一定程度上增加了試樣組織內(nèi)的孿晶數(shù)量,但PI-10試樣中的孿晶厚度與PI-5試樣相近,均在50nm左右。這是由于應(yīng)力的提高促進(jìn)了孿晶的形核,但在室溫拉伸變形過(guò)程中,孿晶的生長(zhǎng)由孿晶界附近的氧原子從晶格的八面體間隙躍遷所控制,為速率受限的圖8TC4試樣卸載后的透射電鏡組織形貌Fig.8TransmissionelectronmicrographsofPI-5(a)andPI-10(b)samplesafterunloading圖9TC4試樣卸載后的孿晶形貌Fig.9DeformationtwinintransmissionelectronmicrographsofPI-5(a)andPI-10(b)samplesafterunloading生長(zhǎng)機(jī)制[12]。同時(shí),由于晶粒細(xì)小,單位體積內(nèi)的晶界數(shù)量多,增加了孿晶形核后的生長(zhǎng)阻力,因而預(yù)應(yīng)變的提高沒(méi)有明顯增加PI-10試樣中的孿晶厚度。在試樣卸載后的滯后回彈過(guò)程中,變形孿晶進(jìn)行去孿晶過(guò)程(或稱(chēng)孿晶回復(fù))[13,14],已躍遷的氧原子回aTwinTwin500nmb500nmaSubgrainSubgrain500nmb500nmStreamlineMorestreamlinea10μmb
【作者單位】: 北京理工大學(xué);
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(51175044)
【分類(lèi)號(hào)】:TG146.23

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本文編號(hào):2539269

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