【摘要】：基于分子動力學(xué)方法,利用嵌入原子勢(EAM)函數(shù),在微觀尺度下研究了影響單晶銅熔點的多種因素。首先利用勢函數(shù)計算單晶銅的晶格常數(shù)和彈性常數(shù),以此驗證本研究所采用勢函數(shù)的準(zhǔn)確性,然后利用能量體積法、徑向分布函數(shù)法和鍵對分析技術(shù)對模擬得到的結(jié)果進(jìn)行分析,測得單晶銅熔點約為1 380K。分析了模型大小、升溫速率、晶體缺陷對銅熔點的影響,研究發(fā)現(xiàn)模型大小、升溫速率對熔點的影響不大,隨著升溫速率的增大,達(dá)到熔點所需的時間越短。晶體缺陷的存在使金屬材料晶格點陣穩(wěn)定性下降,熔化需要的熱量減少,熔點相應(yīng)降低,與實際熔點情況一致。
[Abstract]:Based on the molecular dynamics method, the factors affecting the melting point of single crystal copper were studied on the micro scale by using the (EAM) function of embedded atom potential. The potential function is used to calculate the lattice and elastic constants of single crystal copper, so as to verify the accuracy of the potential function used in this study, and then the energy volume method is used. The radial distribution function method and bond pair analysis technique were used to analyze the simulated results, and the melting point of single crystal copper was measured to be about 1 380 K. The effects of model size, heating rate and crystal defect on the melting point of copper were analyzed. It was found that the size of the model and the rate of heating had little effect on the melting point. With the increase of the heating rate, the time needed to reach the melting point was shorter. Due to the existence of crystal defects, the lattice stability of metallic materials is decreased, the heat needed for melting is reduced, and the melting point is reduced accordingly, which is consistent with the actual melting point.
【作者單位】： 重慶理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金聯(lián)合基金(U1530140);國家自然科學(xué)基金(11302272) 重慶市基礎(chǔ)與前沿研究計劃項目合同(CSTC2016JCYJA0517)
【分類號】：TG146.11

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本文編號：2281691