本文選題：占空比　切入點(diǎn)：鈮　出處：《熱加工工藝》2016年16期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：采用熔鹽脈沖電沉積方法在純鈮表面制備出滲硅層。研究了占空比對(duì)滲硅層成分、沉積速率、組織和相結(jié)構(gòu)的影響,并考察了滲硅層的高溫抗氧化性。結(jié)果表明,滲硅層成分不受占空比影響。隨占空比的增大,滲硅層晶粒由細(xì)小變得粗大,滲硅層組織致密、平整。占空比對(duì)滲硅層相結(jié)構(gòu)無(wú)影響,均由單相Nb Si2組成,并在(110)和(200)晶面上具有擇優(yōu)取向。Nb Si2滲硅層使得純鈮的高溫抗氧化性能得以提高。
[Abstract]:The effect of duty cycle ratio on the composition, deposition rate, microstructure and phase structure of siliconized layer was studied. The oxidation resistance of siliconized layer at high temperature was investigated. The composition of siliconized layer is not affected by duty cycle. With the increase of duty cycle, the grain size of siliconized layer changes from fine to coarse, and the structure of siliconized layer is compact and smooth. The duty cycle ratio has no effect on the phase structure of siliconized layer, and it is composed of single phase NB Si2. Moreover, the preferred orientation. NB Si2 siliconizing layer on the crystal faces of Niobium (110) and Ni200) can improve the oxidation resistance of pure niobium at high temperature.
【作者單位】： 華北理工大學(xué)冶金與能源學(xué)院現(xiàn)代冶金技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(E2014209275)
【分類(lèi)號(hào)】：TG174.4

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本文編號(hào)：1602425