本文關(guān)鍵詞：射頻反應(yīng)濺射制備MgO二次電子發(fā)射薄膜　出處：《金屬學(xué)報(bào)》2016年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用氧化激活A(yù)gMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射頻反應(yīng)濺射沉積法在不銹鋼基片上分別制備了MgO薄膜和摻雜CoO的MgO薄膜,研究了制備工藝對(duì)薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)及耐電子束轟擊能力的影響.結(jié)果表明,薄膜厚度對(duì)其耐電子束轟擊能力有顯著影響,隨著薄膜厚度的增加,耐電子束轟擊能力明顯增強(qiáng),而射頻反應(yīng)濺射沉積可通過(guò)調(diào)整鍍膜時(shí)間獲得不同厚度的MgO薄膜.射頻反應(yīng)濺射的氧分壓比對(duì)MgO薄膜表面質(zhì)量有較大影響,隨著沉積過(guò)程中氧分壓比增大,MgO薄膜表面粗糙度增大,不利于二次電子發(fā)射.CoO摻雜改善了MgO薄膜表面質(zhì)量,使其表面更加平整、光滑,提高了薄膜的二次電子發(fā)射系數(shù),而且降低了薄膜表面質(zhì)量對(duì)氧分壓比變化的敏感性.550℃真空熱處理1h使CoO摻雜的MgO薄膜發(fā)生熱分解失氧且表面質(zhì)量變差,導(dǎo)致二次電子發(fā)射系數(shù)大幅下降.在沉積過(guò)程中,提升基片溫度或提高氧分壓,會(huì)使薄膜中存在金屬態(tài)Mg且薄膜表面質(zhì)量變差,使二次電子發(fā)射系數(shù)小幅下降.
[Abstract]:......
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所;中國(guó)科學(xué)院金屬研究所核用材料與安全評(píng)價(jià)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TG174.4
【正文快照】： Mg O薄膜以其優(yōu)良的二次電子發(fā)射性能,廣泛應(yīng)用于光電倍增管及電子倍增器打拿極材料.作為打拿極二次電子發(fā)射層的Mg O薄膜,最初是通過(guò)高溫控壓氧化激活A(yù)g Mg合金,在其表面形成Mg O二次電子發(fā)射薄膜的方法制備.國(guó)內(nèi)外研究工作者對(duì)Ag Mg合金激活工藝進(jìn)行了深入研究[1~4],結(jié)合本

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1 劉偉;王金淑;高非;任志遠(yuǎn);周美玲;;稀土-鉬陰極二次電子發(fā)射性能研究[J];稀有金屬材料與工程;2011年08期

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本文編號(hào)：1347957