發(fā)布時間：2017-11-02 23:13

  本文關鍵詞：輔助陽極對高功率脈沖磁控濺射放電特性的影響

  更多相關文章： 高功率脈沖磁控濺射 輔助陽極 離化率 基體離子電流 發(fā)射光譜

【摘要】：針對高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS)存在的低濺射率靶材放電時離化率有待進一步提高的問題,通過增加輔助陽極的方法來提高HIPIMS的離化率。研究了輔助陽極電壓、陽極位置以及磁控陽極的類型對HIPIMS放電特性的影響。結果表明:隨著陽極電壓的增加,基體離子電流值逐漸增大,并且當陽極電壓為90 V時,基體離子電流值最高可增加到4倍。隨著陽極位置由45°位置處變化為180°位置處時,由于電場在與磁場垂直方向上的分量逐漸減少,導致了基體離子電流值呈現(xiàn)出逐漸下降的趨勢。此外,當陽極附加擴散型非平衡磁場后,獲得的基體離子電流值最大。輔助陽極處于不同位置時,隨著陽極電壓的增加,HIPIMS放電系統(tǒng)中Ar~0、Ar~(1+)、V~0和V~(1+)粒子譜線強度均有不同程度的增加。當陽極處于45°位置時,各種粒子譜線強度增加最為顯著。增加輔助陽極后HIPIMS放電時真空室內各個位置處的基體離子電流值均有所增加,并且當陽極處于45°位置時的增加幅度最為明顯,系統(tǒng)等離子體密度增幅最高可增加到3倍。
【作者單位】： 東北林業(yè)大學工程技術學院;哈爾濱工業(yè)大學先進焊接與連接國家重點實驗室;東北林業(yè)大學林業(yè)工程博士后流動站;黑龍江工程學院材料與化學工程系;
【關鍵詞】： 高功率脈沖磁控濺射 輔助陽極 離化率 基體離子電流 發(fā)射光譜
【基金】：中央高�；究蒲袠I(yè)務費專項資金項目資助(2572015CB07) 黑龍江省科學基金項目資助(QC2016053) 哈爾濱市科技創(chuàng)新人才專項資金項目資助(2016RAQXJ016) 中國博士后科學基金項目資助(2016M590273) 國家自然科學基金項目資助(U1330110,51175118) 黑龍江省教育廳科學技術研究項目資助(12523008)
【分類號】：TG174.444
【正文快照】： 高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS)技術是一門具有高離化率特征的新興磁控濺射技術,它兼具磁控濺射和多弧離子鍍的優(yōu)點,被譽為“無大顆粒的多弧離子鍍”。HIPIMS最先由瑞典Kouznetsov等[1]于1999年提出,該技術利用磁控靶的脈沖(50~200μs/1500~2000 V)高功率耦合(磁控靶峰值功率密度

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

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本文編號：1133580