等離子體增強磁控濺射法制備CrN薄膜工藝及其性能的研究
本文關(guān)鍵詞:等離子體增強磁控濺射法制備CrN薄膜工藝及其性能的研究
【摘要】:磁控濺射制備技術(shù)是近些年來迅速發(fā)展的一種材料表面改性的重要手段之一,具有低溫、低成本、高效率等特點,并具備實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的發(fā)展前景和廣泛應用于各種化合物薄膜的沉積與制備。隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展,傳統(tǒng)工藝制備的涂層不再滿足當今苛刻的應用環(huán)境,故在以上制備方法的基礎(chǔ)上采用等離子體增強平衡磁控濺射來制備涂層,除了具備以上特點,還具備“高離化率”的特點。本論文實驗采用等離子體增強平衡磁控濺射鍍膜設(shè)備制備CrN薄膜。重點研究了氮氣流量比和基體負偏壓的工藝參數(shù)對制備的CrN薄膜組織和性能的影響。分別利用掃描電子顯微鏡、X射線能譜儀、X射線衍射儀、霍爾效應儀、臺階儀、顯微硬度計、摩擦磨損試驗機和劃痕儀較系統(tǒng)的研究了CrN薄膜的厚度、沉積速率、組織結(jié)構(gòu)、形貌、化學成分以及力學性能。研究結(jié)果表明:隨著N2含量的增加,CrN薄膜的沉積速率下降,其原因與薄膜本身的導電性有關(guān);CrN(220)衍射峰逐漸向小角度出現(xiàn)一定的偏移。N2含量≥40%后,涂層中Cr、N原子比最接近1:1,形貌也不再變化;隨著氮氣含量的增加,薄膜的物相結(jié)構(gòu)由Cr2N、Cr2N+CrN、CrN變化。在同樣的濺射功率下,隨著偏壓的增加,薄膜的沉積速率下降;并且偏壓的改變不影響薄膜的化學組成,而是改變離化后離子的能量,從而影響薄膜的熱力學和動力學行為;除了0V的實驗外,基底負偏壓由-70V增加到-125V時,CrN薄膜擇優(yōu)生長發(fā)生了(111)向(200)轉(zhuǎn)變;基體偏壓為-70 V時,薄膜的力學性能較好。
【關(guān)鍵詞】:等離子體 磁控濺射 CrN薄膜
【學位授予單位】:遼寧科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TG174.4
【目錄】:
- 中文摘要5-6
- ABSTRACT6-9
- 1. 緒論9-20
- 1.1 前言9
- 1.2 氣相沉積技術(shù)9-12
- 1.2.1 物理氣相沉積9-11
- 1.2.2 化學氣相沉積11-12
- 1.3 磁控濺射技術(shù)12-16
- 1.3.1 傳統(tǒng)磁控濺射技術(shù)12-13
- 1.3.2 磁控濺射原理13-15
- 1.3.3 等離子增強技術(shù)15-16
- 1.4 氮化鉻涂層國內(nèi)外發(fā)展動態(tài)16-19
- 1.4.1 氮化鉻的結(jié)構(gòu)和性能16-17
- 1.4.2 氮化鉻基多元結(jié)構(gòu)17
- 1.4.3 氮化鉻基多層結(jié)構(gòu)17-18
- 1.4.4 氮化鉻基納米結(jié)構(gòu)18
- 1.4.5 氮化鉻基梯度結(jié)構(gòu)18-19
- 1.5 本論文研究目的和內(nèi)容19-20
- 2. 實驗材料及設(shè)備表征20-31
- 2.1 實驗材料20
- 2.2 等離子體增強磁場磁控濺射鍍膜設(shè)備20-24
- 2.2.1 設(shè)備構(gòu)成21-23
- 2.2.2 工藝操作流程23-24
- 2.3 樣品的表征方法簡介24-31
- 2.3.1 薄膜的厚度及導電性測試25-26
- 2.3.2 薄膜的結(jié)構(gòu)表征26-29
- 2.3.3 硬質(zhì)薄膜的力學性能測試29-31
- 3. 不同N_2流量比對CrN_x薄膜微觀結(jié)構(gòu)及力學性能的影響31-44
- 3.1 實驗方法31-32
- 3.1.1 實驗工藝參數(shù)31-32
- 3.2 實驗結(jié)果與討論32-42
- 3.2.1 沉積速率與遲滯回線32-34
- 3.2.2 晶體結(jié)構(gòu)34-36
- 3.2.3 表面形貌與化學成份36-39
- 3.2.4 顯微硬度39-40
- 3.2.5 摩擦性能與結(jié)合力40-42
- 3.3 實驗檢測結(jié)果42-43
- 3.4 本章小結(jié)43-44
- 4. 不同基體負偏壓對制備CrN薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響44-52
- 4.1 實驗方法44-45
- 4.1.1 實驗工藝參數(shù)44-45
- 4.2 實驗結(jié)果分析與討論45-51
- 4.2.1 沉積速率45
- 4.2.2 化學成份45-47
- 4.2.3 晶體結(jié)構(gòu)47-48
- 4.2.4 表面形貌48-49
- 4.2.5 顯微硬度49-50
- 4.2.6 摩擦磨損與結(jié)合力50-51
- 4.3 本章實驗檢測結(jié)果51
- 4.4 本章小結(jié)51-52
- 5. 結(jié)論52-53
- 參考文獻53-57
- 致謝57-58
- 作者簡介58-59
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 孫膺九;等離子體增強化學氣相淀積硅外延新技術(shù)[J];稀有金屬;1987年01期
2 孫文立;徐軍;陸文琪;;等離子體增強磁控濺射沉積碳化硅薄膜的化學結(jié)構(gòu)與成膜機理[J];物理化學學報;2010年08期
3 梁紅偉,呂有明,申德振,顏建鋒,劉益春,李炳輝,趙東旭,張吉英,范希武;等離子體增強分子束外延生長ZnO薄膜及光電特性的研究[J];人工晶體學報;2003年06期
4 ;[J];;年期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條
1 王陶;施維;項禮;姜辛;;直流等離子體增強熱絲化學氣相沉積法(DC-Plasma-Enhanced HF-CVD)制備金剛石—碳化硅復合薄膜[A];TFC’09全國薄膜技術(shù)學術(shù)研討會論文摘要集[C];2009年
2 王陶;施維;項禮;姜辛;;直流等離子體增強熱絲化學氣相沉積法(DC-Plasma-Enhanced HF-CVD)制備金剛石-碳化硅復合薄膜的初步研究[A];第十四屆全國等離子體科學技術(shù)會議暨第五屆中國電推進技術(shù)學術(shù)研討會會議摘要集[C];2009年
3 孫文立;光磊;陸文琪;徐軍;;沉積偏壓及N2流量對a-CNx膜成分、結(jié)構(gòu)和性能的影響[A];第十四屆全國等離子體科學技術(shù)會議暨第五屆中國電推進技術(shù)學術(shù)研討會會議摘要集[C];2009年
4 董闖;;載能束材料改性[A];2008年全國荷電粒子源、粒子束學術(shù)會議暨中國電工技術(shù)學會第十二屆電子束離子束學術(shù)年會、中國電子學會焊接專業(yè)委員會第九屆全國電子束焊接學術(shù)交流會、粒子加速器學會第十一屆全國離子源學術(shù)交流會、中國機械工程學會焊接分會2008年全國高能束加工技術(shù)研討會、北京電機工程學會第十屆粒子加速器學術(shù)交流會論文集[C];2008年
5 任兆杏;沈克明;孟月東;舒興勝;;等離子體增強鍍膜技術(shù)[A];第四屆華東真空科技學術(shù)交流展示會學術(shù)論文集[C];2003年
6 汝麗麗;黃建軍;孟月東;;微波ECR等離子體增強磁控濺射多晶硅薄膜研究[A];第十五屆全國等離子體科學技術(shù)會議會議摘要集[C];2011年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 徐軍;微波-ECR等離子體增強非平衡磁控濺射技術(shù)及CN薄膜的制備研究[D];大連理工大學;2002年
2 李衛(wèi)青;噴射RF射頻等離子體增強脈沖激光沉積o-BN薄膜及其性能研究[D];吉林大學;2005年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條
1 王明磊;等離子體增強磁控濺射法制備CrN薄膜工藝及其性能的研究[D];遼寧科技大學;2016年
2 孫文立;等離子體增強磁控濺射制備碳化硅薄膜研究[D];大連理工大學;2010年
3 袁保合;等離子體增強CVD合成碳薄膜及其微觀結(jié)構(gòu)研究[D];蘭州大學;2006年
4 馬冬月;基于LabVIEW的等離子體增強ALD控制系統(tǒng)開發(fā)[D];昆明理工大學;2014年
5 王琳;微波ECR等離子體增強磁控濺射制備氮化鋁薄膜[D];大連理工大學;2013年
,本文編號:1088964
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jiagonggongyi/1088964.html