本文關鍵詞：新型整平劑TS-L對銅電沉積的影響

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【摘要】：通過極化曲線、電化學阻抗譜、計時電流等電化學測量方法研究了整平劑TS-L對銅電沉積的影響�；A鍍液組成為:Cu SO_4·5H_2O 75 g/L,H_2SO_4 240 g/L,Cl~-60 mg/L。結果表明,TS-L會抑制銅的電沉積,有利于得到平整、光亮的鍍層。隨TS-L用量增大,其抑制作用增強。TS-L的用量為50 mg/L時,銅的電沉積由基礎鍍液的三維瞬時成核轉變?yōu)槿S連續(xù)成核。隨TS-L質量濃度的增大,鍍液的深鍍能力提高。在電鍍液中添加50 mg/L整平劑TS-L、10 mg/L光亮劑TS-S和600 mg/L抑制劑TS-W時,深鍍能力為87%,銅鍍層的延展性和可靠性滿足印制線路板行業(yè)的應用要求。
【作者單位】： 廣東東碩科技有限公司;
【關鍵詞】： 電鍍銅 整平劑 深鍍能力 極化 電結晶 延展性 可靠性
【分類號】：TQ153.14
【正文快照】： 隨著電子信息行業(yè)的高速發(fā)展,提升高厚徑比PCB(印制線路板)產品的深鍍能力變得尤為重要。深鍍能力的提高不僅可以提升產品性能,而且能節(jié)約成本。開發(fā)高性能的添加劑是提高深鍍能力最快捷有效的方式之一。PCB通孔電鍍添加劑一般分為光亮劑、整平劑和抑制劑。光亮劑多為帶有磺酸

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本文編號：512017