本文關鍵詞：沉淀法制備摻鋯氧化鋅納米粉末的形貌與光學性能，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用直接沉淀法制備未摻雜和摻雜Zr元素的ZnO納米粉末,通過X射線衍射(XRD)分析、掃描電鏡(SEM)、能譜分析(EDS)以及紫外可見光譜(UV-Vis)分析、光學性能測試等,研究Zr摻雜量(0~5%,摩爾分數(shù))與溶液pH值(6.5~13.0)對粉末粒度、形貌與結構及光學性能的影響。結果表明:Zr摻雜使ZnO粉末粒徑減小。Zr摻雜量為1%的粉末粒徑最小,晶粒尺寸為28 nm,Zr完全進入ZnO晶格中;當Zr摻雜量增加到3%和5%時,粉末粒徑增大,并出現(xiàn)ZrO2相。反應溶液的pH值為6.5時,Zr-ZnO納米粉末形貌為類球形。隨pH值增大,Zr-ZnO粉末形貌逐漸向短棒狀轉變,粉末粒徑先減小然后增大。隨Zr摻雜量從0增加到5%,ZnO的光吸收峰先出現(xiàn)"藍移"后出現(xiàn)"紅移",表明Zr摻雜可提高ZnO粉末的禁帶寬度,隨Zr含量增加,粉末的禁帶寬度先增大后減小,1%Zr-ZnO的禁帶寬度最大。
【作者單位】： 中南大學材料科學與工程學院;
【關鍵詞】： 直接沉淀法 Zr-Zn O粉末 Zr摻雜量 p H值 形貌 光吸收峰 禁帶寬度
【基金】：湖南省自然科學基金資助項目(13JJ5004)
【分類號】：TB383.1;TQ132.41
【正文快照】： 氧化鋅(Zn O)是n型半導體材料,在室溫下的禁帶寬度為3.37 e V,激子束縛能為60 me V,大于其在室溫下的熱能26 me V,這使得氧化鋅在室溫甚至更高溫度下能實現(xiàn)高效率的激子受激發(fā)射。與其它半導體氧化物相比,Zn O的原材料易得,性質穩(wěn)定,環(huán)境友好,并且價格低廉,在氣體傳感器[1]、

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