二硫化鎢的合成及其光電特性研究
【文章頁數(shù)】:63 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1WS2單層結(jié)構(gòu)
圖1.1WS2單層結(jié)構(gòu)[20]WS2由于層與層之間原子不同的堆疊方式,可以分為三種體相結(jié)構(gòu):1T1T相是具有金屬性的八面體配位的四方晶系,而2H相則是具有半導(dǎo)體層與層之間按照1212的方式堆疊。3R相屬于斜方對稱晶系,其W原,屬于三棱柱配位,但是其層間堆疊....
圖1.2單層WS2的能帶圖
圖1.2單層WS2的能帶圖[22]圖1.3WS2固體能帶圖[22].3WS2的研究進(jìn)展.3.1WS2的FET特性研究WS2擁有良好的遷移率,且其少層時(shí)表現(xiàn)出較好的柔軟性、透明性和延展性,作為柔顯示屏或電子器件的基礎(chǔ)材料,擁有極好的發(fā)展前景。目前,WS2薄膜....
圖1.3WS2固體能帶圖
圖1.2單層WS2的能帶圖[22]圖1.3WS2固體能帶圖[22].3WS2的研究進(jìn)展.3.1WS2的FET特性研究WS2擁有良好的遷移率,且其少層時(shí)表現(xiàn)出較好的柔軟性、透明性和延展性,作為柔顯示屏或電子器件的基礎(chǔ)材料,擁有極好的發(fā)展前景。目前,WS2薄膜....
圖1.4WS2場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)
暨南大學(xué)碩士學(xué)位論文電子聚集在薄膜上部,但是由于上部薄膜和源漏電極接觸,S2上表面,而不能在上表面形成導(dǎo)電溝道,所以在施加源漏流并不會發(fā)生明顯變化。通過給柵極施加正負(fù)相反的電壓就變大或者維持較小數(shù)值,這就是電子開關(guān)器件的最基本性能代替硅的一個(gè)重要因素。
本文編號:4034551
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