采用電容結構研究了氟（F,Flourine）摻雜非晶薄膜漏電、擊穿以及溫度特性。結果表明,氟摻雜鈍化了非晶膜中的缺陷和懸掛鍵,使非晶薄膜漏電降低兩個數量級,同時使擊穿電壓升高。摻雜非晶薄膜的漏電與溫度呈指數增長,增長系數為0.0375 K^-1,擊穿電壓隨溫度線性減小,系數為0.012 V·K^-1。

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【部分圖文】：

圖1 非晶硅平板電容結構

非晶薄膜電容面積為1440μm2，縱向結構如圖1所示。采用PVD磁控濺射方法在襯底上分別生長金屬電極和阻擋層、不同厚度的非晶硅薄膜以及下金屬淀積和阻擋層，形成非晶薄膜電容結構，然后通過光刻、腐蝕等工序，完成非晶薄膜電容結構的制備。非晶薄膜的摻雜在上電極沉積前完成，采用氬攜帶氣體的....

圖2 3#樣品摻氟非晶薄膜漏電流的溫度特性

對3號非晶硅薄膜樣本的溫度特性進行研究，發(fā)現隨著溫度的升高，非晶硅薄膜擊穿電壓降低。非晶硅薄膜的漏電和擊穿電壓與溫度呈指數關系，即薄膜漏電隨溫度的升高呈指數增加趨勢，而薄膜擊穿電壓隨溫度升高呈指數減小，如表4所示。非晶硅薄膜漏電流與溫度呈指數關系，如圖2所示，非晶硅薄膜的擊穿電壓....

圖3 3#樣品摻氟非晶薄膜擊穿電壓的溫度特性

圖23#樣品摻氟非晶薄膜漏電流的溫度特性4結論

本文編號：4017739