定向修飾Si位點增強SiC太陽能光解水產氫性能研究
發(fā)布時間:2024-12-01 03:03
利用光照原位沉積的方法,在SiC表面Si位點定向沉積Pt-Au雙金屬助催化劑。利用Si-Pt-Au之間的相互作用,形成光生電子定向轉移的通道,抑制光生電子-空穴的復合,光生電子壽命延長27%,并通過對此Si位點的定向修飾,調節(jié)SiC表面Si位點的電子態(tài)密度,增強Si位點的催化活性。在兩種效應的協(xié)同下,Au-Pt-SiC催化性能提高26倍,產氫速率達到2 248.5μL/(h·g)。
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本文編號:4013450
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圖1 SiC,Pt-SiC和Au-Pt-SiC樣品的光致發(fā)光光譜(a)和熒光衰減曲線(b)
為了進一步明確樣品對太陽光的響應性能,對SiC、Pt-SiC和Au-Pt-SiC樣品進行了紫外-可見吸收譜的表征。純SiC在可見光區(qū)域(波長至700nm)具有寬而弱的吸收。在Pt-SiC樣品中,觀察到類似的光吸收曲線。相比之下,Au-Pt-SiC在可見光區(qū)的吸收強度明顯增強。同時....
圖2 Au-Pt-SiC和Pt-Au-SiC樣品的光致發(fā)光光譜(a);時間分辨熒光光譜(b);光電流密度測試(c);循環(huán)阻抗測試(d)
為了驗證上述的可能機理,研究了Au-Pt-SiC和Pt-Au-SiC樣品的界面電荷轉移動力學,如圖2(a)。結果表明,Au-Pt-SiC復合材料比Pt-Au-SiC具有更低的熒光發(fā)射峰強度,表明Au-Pt-SiC中光生電荷的復合效率低于Pt-Au-SiC。時間分辨熒光發(fā)射衰減譜如....
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