以石墨烯為主的二維材料,憑借自身優(yōu)異的機械、電子和光學(xué)性能以及僅僅數(shù)個原子層厚度的尺寸優(yōu)勢引起各領(lǐng)域研究者的共同關(guān)注。除了石墨烯以外,如藍(lán)磷烯、黑磷烯、二維過渡金屬硫?qū)倩�、碳化硅等自身都具有與三維塊體材料完全迥異且突出的優(yōu)點。同時,在諸多二維材料的研究當(dāng)中,二維范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)可謂獨樹一幟。二維范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)因其晶體結(jié)構(gòu)上的獨特性(即由兩種結(jié)構(gòu)相似卻性質(zhì)略有不同的材料組合而成),故它的組成方式多種多樣,所帶來的性質(zhì)也能有效的彌補原本二維材料的不足。基于以上優(yōu)點,進一步加深對二維范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究顯得尤為重要。本文采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,以應(yīng)變對藍(lán)磷基類石墨烯二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的調(diào)控研究為主線,詳細(xì)討論了BP/SiC與BP/XT₂(X=Mo,W;T=S,Se)的幾何結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì),以達到改善電學(xué)性質(zhì)、滿足實際應(yīng)用需求等目的。首先,就BP/SiC異質(zhì)結(jié)構(gòu)來說,根據(jù)其晶格參數(shù)適當(dāng)調(diào)整單層BP與單層SiC的超晶胞大小,構(gòu)建了晶格失配度為2.5%的BP/SiC異質(zhì)結(jié)構(gòu)。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn),應(yīng)變可調(diào)控BP/SiC異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶隙值,并當(dāng)應(yīng)變?yōu)?10%、+10%與+12%時,...

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 二維材料
        1.1.1 概述
        1.1.2 石墨烯
    1.2 類石墨烯二維材料
        1.2.1 藍(lán)磷
        1.2.2 類石墨烯碳化硅
        1.2.3 過渡金屬二硫?qū)倩?br>    1.3 二維類石墨烯范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)
    1.4 論文的研究目的和主要工作內(nèi)容
第二章 理論基礎(chǔ)與計算模型
    2.1 計算模擬概述
    2.2 計算模擬理論基礎(chǔ)
        2.2.1 Born-Oppenheimer近似
        2.2.2 Hartree-Fork近似
        2.2.3 密度泛函理論
        2.2.4 交換關(guān)聯(lián)能量泛函
    2.3 計算軟件與計算模型
        2.3.1 計算軟件
        2.3.2 計算模型
第三章 BP/SiC異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能隙調(diào)控研究
    3.1 背景簡介
    3.2 模型與計算方法
    3.3 結(jié)果與討論
    3.4 小結(jié)
第四章 BP/XT2 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能隙調(diào)控研究
    4.1 研究背景
    4.2 模型與計算方法
    4.3 結(jié)果與討論
    4.4 小結(jié)
結(jié)論與展望
    結(jié)論
    展望
參考文獻
攻讀學(xué)位期間取得的研究成果
致謝



本文編號：4000038