功能化一維五角石墨烯和InSe納米材料的電子及磁特性研究
【文章頁數(shù)】:71 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1五角石墨烯的結(jié)構(gòu)模型
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圖2.5?X-AA(7)-X的能帶結(jié)構(gòu)(BS),態(tài)密度(DOS)和投影態(tài)密度(PDOS)⑻H-AA-H,(b)??------
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圖2.7?0-ZZ(7)-0的載流子遷移率計(jì)算
?Quadratic?fitting?curve?m?路?m—??以.15?\?一?/?>?6??>;'\?/?^-6'?—CBM??feO.10-?\?/?2??——?VBM??\?j/?S??Linear?fitting?of?CBM??2?0.05?-?\?/??Linea....
圖2.8納米帶波函數(shù)的空間分布
?碩士學(xué)位論文???為了進(jìn)一步解釋某些納米帶電子和空穴遷移率之間巨大差異的現(xiàn)象,我們以S-SS(6)??-S和F-SS(6)-F為例,計(jì)算了其CBM和VBM布洛赫態(tài)分布。CBM和VBM分別對(duì)應(yīng)??于電子和空穴的輸運(yùn)性能。如圖2.8所示,CBM的波函數(shù)在輸運(yùn)方向呈現(xiàn)出明顯的離域??....
本文編號(hào):3973987
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