隨著全球能源危機(jī)以及環(huán)境污染問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重,新型能源特別是太陽(yáng)能越來(lái)越被研究者們所青睞,但太陽(yáng)能的轉(zhuǎn)換效率仍有待提高。因此,目前主要的研究方向是表面織構(gòu)的制備以及其光學(xué)特性的表征,以期待可以提高太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率。本文主要采用雙槽電化學(xué)腐蝕法制備納米多孔硅結(jié)構(gòu),通過(guò)對(duì)制備的樣品進(jìn)行掃描電鏡、發(fā)光強(qiáng)度以及反射率、透光率的測(cè)試,探究了在電解液(乙醇與氫氟酸)配比不同、電解時(shí)間不同、電解液電流密度不同下對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)的表面形貌以及光學(xué)特性的影響,從而優(yōu)化多孔硅的制備工藝。再通過(guò)模板法將制備出來(lái)的納米多孔結(jié)構(gòu)復(fù)制到太陽(yáng)能電池表面,使得能夠在太陽(yáng)能電池表面形成一層納米多孔結(jié)構(gòu)的薄膜。采用掃描電鏡觀察不同工藝條件下在硅片表面形成的結(jié)構(gòu)形貌以及復(fù)制到太陽(yáng)能電池薄膜表面上的結(jié)構(gòu)形貌。采用紫外紅外分光光度計(jì)以及熒光分光光度計(jì)檢測(cè)硅片和薄膜表面結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性,從而優(yōu)化出最佳的工藝制備條件,然后通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行光伏性能的檢測(cè)進(jìn)一步的驗(yàn)證結(jié)果,最后通過(guò)仿真模擬軟件從理論上證明納米多孔硅結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性以及本質(zhì)。結(jié)果表明:不同的制備工藝會(huì)在硅片表面形成的不同的納米多孔結(jié)構(gòu),且發(fā)光強(qiáng)度也隨著電解液濃度的變化、電流密度的變化...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.2理想的多孔硅結(jié)構(gòu)以及多孔硅光陷阱示意圖

的微觀結(jié)構(gòu)微觀結(jié)構(gòu)包括很多方面，比如：孔的深度、孔徑的大形貌、孔隙體積與硅在自然狀態(tài)下總體積的百分比等微觀結(jié)構(gòu)的有SEM、TEM、ECAFM、熒光分光光度，不同的制備工藝如：電解密度、電解時(shí)間、電解液形貌也將會(huì)不一樣。大孔(macropores)一般通常是由大于50納米，中....

圖1.3單槽電化學(xué)腐蝕法示意圖[59]

安徽工程大學(xué)碩士學(xué)位論文位置的支架剛好能夠?qū)⒄麄�(gè)電槽液分離成兩個(gè)獨(dú)立半槽，這兩個(gè)獨(dú)立的半槽完全的隔離，只能通過(guò)導(dǎo)線彼此的銜接。放置在中間位置的硅片也有要求，其拋光面對(duì)著陰極，未拋光面對(duì)著陽(yáng)極。實(shí)驗(yàn)開始時(shí)接通電源，電流通過(guò)連接兩端的導(dǎo)線從獨(dú)立半槽的一端流向另外一端，對(duì)著陰極的拋光面....

圖1.4雙槽電化學(xué)腐蝕法示意圖[fsi.szl

安徽工程大學(xué)碩士學(xué)位論文位置的支架剛好能夠?qū)⒄麄�(gè)電槽液分離成兩個(gè)獨(dú)立半槽，這兩個(gè)獨(dú)立的半槽完全的隔離，只能通過(guò)導(dǎo)線彼此的銜接。放置在中間位置的硅片也有要求，其拋光面對(duì)著陰極，未拋光面對(duì)著陽(yáng)極。實(shí)驗(yàn)開始時(shí)接通電源，電流通過(guò)連接兩端的導(dǎo)線從獨(dú)立半槽的一端流向另外一端，對(duì)著陰極的拋光面....

圖1.5光化學(xué)腐蝕法原理圖

安徽工程大學(xué)碩士學(xué)位論文鍵逐漸將代替已經(jīng)減弱的Si-Si鍵，生成的氧化物覆蓋在硅片，硅就會(huì)發(fā)生電拋光現(xiàn)象，刻蝕速率約為1.5nm/min。進(jìn)行光化學(xué)腐蝕法的時(shí)候，除了原有的酸溶液外，還可以添加碘分子[70]、硝酸[71]、三氯化鐵等[72]作為氧化劑，加快反應(yīng)速度，減少制....

本文編號(hào)：3947541