提出了用物理氣相傳輸法自支撐生長氮化鋁單晶的新方法,此方法可以在氮化鋁燒結體表面一次性獲得大量生長的氮化鋁單晶。在2373～2523 K的溫度條件下經過100 h生長的氮化鋁單晶,其最大尺寸為7 mm×8 mm×12 mm,典型直徑為5～7 mm。這些原生晶體的表面形貌及結晶質量分別通過掃描電子顯微鏡、拉曼光譜和高分辨X射線衍射進行表征分析。拉曼光譜E₂峰位的半高全寬為5.7 cm^-1,高分辨X射線衍射得到的對稱搖擺曲線的半高全寬為93.6弧度秒。經過選擇性化學腐蝕后的晶體,其表面的平均腐蝕坑密度為7.5×10⁴cm^-2。逸出氣體分析和輝光放電質譜分析結果表明,碳和氧為晶體內部的主要雜質元素,含量分別為28和120μg/g。此方法為高質量氮化鋁單晶的獲取提供了一個新的途徑,這些單晶可以被切成晶片作為后續(xù)氮化鋁同質外延生長的優(yōu)良籽晶。使用這些小的籽晶,成功制備出了直徑高達60 mm的氮化鋁單晶體/晶圓,并具有良好的深紫外光透過性。

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【文章目錄】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
    2.1 Growth rate analysis
    2.2 Surface morphologies of as-grown crystals
    2.3 Structural quality of as-grown crystals
3 Conclusions



本文編號：3931059