CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷具有巨介電常數(shù),隨著電子產(chǎn)品小型化的發(fā)展趨勢(shì),迫切需要高介電常數(shù)材料,這使得CCTO巨介電常數(shù)材料在小型電子元器件領(lǐng)域極具前景。但CCTO相對(duì)較高的介電損耗以及巨介電常數(shù)對(duì)工藝的敏感程度,成為限制CCTO實(shí)際應(yīng)用的兩大因素。因此,對(duì)CCTO陶瓷介電性能進(jìn)行系統(tǒng)研究,以及CCTO陶瓷制備工藝的探索、開發(fā)及優(yōu)化都將對(duì)其實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。本文針對(duì)CCTO陶瓷研究現(xiàn)狀,為了改善CCTO介電性能,使用固相法制備CCTO陶瓷,研究了CCTO電介質(zhì)陶瓷材料復(fù)合、金屬氧化物摻雜改性、以及引入添加劑對(duì)CCTO基陶瓷的結(jié)構(gòu),介電性能的影響。研究結(jié)果表明:(1)CCTO在1040℃溫度下燒結(jié),保溫2h,室溫到600℃,600℃至900℃,900℃至1040℃升溫速率分別為4℃/min,3℃/min,2℃/min燒結(jié)后純CCTO具有立方相鈣鈦礦結(jié)構(gòu),晶粒生長(zhǎng)完善,尺寸較為均勻,幾乎沒(méi)有異常結(jié)晶情況的發(fā)生,致密性良好。(2)BNBT～CCTO體系復(fù)合產(chǎn)生了第二相,第二相極有可能為鈦酸銅鋇。金屬氧化物摻雜...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1MLCC結(jié)構(gòu)示意圖

遼寧科技大學(xué)碩士學(xué)位論文3要求。因此，為了適應(yīng)電子產(chǎn)品的發(fā)展，MLCC要向小型化、大容量化，可靠性高等方向發(fā)展[2]。圖1.1為MLCC結(jié)構(gòu)示意圖。MLCC是以電介質(zhì)材料作為介質(zhì)，將陶瓷粉體配置成漿料，使用流延法制成陶瓷介質(zhì)薄膜，之后印刷內(nèi)電極，交替重疊熱壓，形成多層電容器結(jié)構(gòu)再....

圖1.2CCTO晶體結(jié)結(jié)構(gòu)示意圖

1.緒論4介電常數(shù)，隨著電子產(chǎn)品小型化的發(fā)展趨勢(shì)，這就使得CCTO巨介電常數(shù)材料在小型電子元器件領(lǐng)域極具前景。1.2CCTO巨介電常數(shù)材料概述1.2.1CCTO的晶體結(jié)構(gòu)ADeschanvres[19]等人在1969年首次對(duì)于CCTO的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究，1979年，Bochu[2....

圖2.1工藝流程圖

遼寧科技大學(xué)碩士學(xué)位論文9圖2.1工藝流程圖Figure2.1Technicalflowchart2.3實(shí)驗(yàn)主要設(shè)備實(shí)驗(yàn)中主要使用的儀器設(shè)備及型號(hào)如表2.2所示。表2.2實(shí)驗(yàn)用設(shè)備儀器Table2.2Equipmentsusedintheexperiment2.3.1初坯壓實(shí)行為....

圖3.1CCTO的SEM圖

遼寧科技大學(xué)碩士學(xué)位論文133.CCTO陶瓷的燒結(jié)及其表征3.1CCTO的顯微結(jié)構(gòu)初始原料t=1020℃t=1050℃t=1040℃圖3.1CCTO的SEM圖Figure3.1SEMmicrographsofCCTOceramic眾所周知，CCTO在燒結(jié)時(shí)，對(duì)于燒結(jié)溫度以及升溫制....

本文編號(hào)：3917799