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擴滲溫度對TiO 2 NTs/TC4光催化制氫性能的影響

發(fā)布時間:2024-02-20 01:10
  為了提高TiO2薄膜光催化活性,采用陽極氧化在TC4鈦合金表面制備了TiO2納米管陣列。利用掃描電鏡、X-射線衍射、拉曼譜圖、X-射線光電子能譜和紫外可見漫反射光吸收對熱擴滲后的陽極化膜層的微觀結構進行表征。結果表明:在TC4鈦合金的α和β相,氧化膜呈不同的形貌,α相區(qū)域納米管的孔徑約為50 nm,β相區(qū)域只形成了不規(guī)則、大小不均的110 nm的小孔。氧化物中V離子的存在對銳鈦礦相的生成具有抑制作用,擴滲θ在500和600℃時,膜層中存在少量結晶度不高銳鈦礦與金紅石相并存的晶體結構。吸附在陽極化膜層表面的碳化物含有石墨相,碳修飾TiO2納米管列在可見光區(qū)域有很強的光響應區(qū)間。在600℃擴滲溫度下得到的具有部分石墨化的C修飾V摻雜的TiO2NTs光催化活性最高,膜層產(chǎn)氫速率為21.25μmol/h。

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
引言
1 實驗
    1.1 鈦基體的預處理
    1.2 Ti O2納米管陣列的制備
    1.3 Ti O2納米管陣列的熱擴滲處理
    1.4 測試與表征
2 結果與討論
    2.1 氧化膜形貌
    2.2 X-射線衍射分析
    2.3 拉曼譜圖分析
    2.4 X-射線光電子能譜分析
    2.5 紫外可見漫反射光吸收譜分析
    2.6 光催化性能分析
3 結論



本文編號:3903608

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