聚偏氟乙烯(PVDF)是一種有前景的高分子膜分離材料,由于其優(yōu)異的耐化學性、熱穩(wěn)定性以及抗氧化性,使其在膜分離過程中具有廣闊的應用前景。然而PVDF膜固有的疏水性很容易造成膜污染。對于膜污染問題的解決以及如何實現(xiàn)膜的有效利用,可以從以下兩方面進行考慮:一是選擇適當?shù)母男苑椒?提高膜自身的水處理性能和抗污染性;二是及時監(jiān)測膜的污染情況,從而對膜作出及時的清洗處理以延長膜的使用壽命。碳納米管(CNT)因其具有優(yōu)異的力學、電學、機械性能,已成為聚合物膜材料中理想的納米填料。氧化石墨烯(GO)作為石墨烯的衍生物,由于其邊緣含有豐富的含氧官能團,所以其具有很好的水分散性。它們這些優(yōu)異的性質引起了人們的廣泛關注。本文采用混酸處理的方式對原始的多壁碳納米管(MWCNT)進行羧基化處理得到氧化的多壁碳納米管(OMWCNT),并將它們作為納米填料,同時用改進的Hummers法制備GO,并配制成一定濃度的GO溶液作為成膜凝固浴。通過基質共混和溶液凝固浴相結合的方式制備功能化碳納米材料/PVDF雜化膜。探究了碳材料的添加方式及添加量對膜性能的影響,確定出最優(yōu)方式和最優(yōu)含量并對膜性能提高的機理進行分析。測試結...

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－４?ＣＶＤ法制備碳納米管的實驗裝賈圖??

積法（ＣＶＤ）足在？定溫度Ｉ、＇，將含碳１體或液休碳源從催化劑的表面經過，在??催化劑的作用下將其裂解，沉ＩＲ生成ＣＮＴ。這種方法操作可控，易批量生產，是??直接也長碳管撮常用的方法。圖１－４為ＣＶＤ法屯長ＣＮＴ的實驗裝置原理圖。??０Ｊ１?０－＾?—?Ｆｕｒｎａｃｅ??ｉｉｉＬ....

Ｆ＇??圖１－５制備過程的示意圖（ａ）－種單體苯胺鋟入到？直陣列ＣＮＴ?（ＶＡＣＮＴ）間隙中??（ｂ）（ｃ）?ＶＡＣＮＴ／ＰＡＮｉ

積法（ＣＶＤ）足在？定溫度Ｉ、＇，將含碳１體或液休碳源從催化劑的表面經過，在??催化劑的作用下將其裂解，沉ＩＲ生成ＣＮＴ。這種方法操作可控，易批量生產，是??直接也長碳管撮常用的方法。圖１－４為ＣＶＤ法屯長ＣＮＴ的實驗裝置原理圖。??０Ｊ１?０－＾?—?Ｆｕｒｎａｃｅ??ｉｉｉＬ....

圖１－７不同離子通過ＧＯ膜的滲透過程示意圖??ｌ：ｉｇｕｒｅ?１－７?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ?ｏｆ??

有趣的是，銅鹽完全被ＧＯ膜阻擋，并且有機污染物也不會滲透。同??吋對ＧＯ膜的離子選擇滲透性能機理進行了討論。小?１司離丫？通過ＧＯ膜的滲透過??程示意圖如圖１－７所示。在膜內形成的納米毛細管負貴金屬離子的滲透，而重金??屬離子ｈ?ＧＯ膜之間的配位限制了離子的通過。最后，研究了雜化....

圖１－９示意圖顯示了?ＳＷＣＭＴ插層ＧＯ超薄膜的制備和分子分離過程??ｌｖｉｕｒｅ?１－９?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｓｈｏｗｉｎｔｈｅ?ｆａｒｉｎｒｏｃｅｓ－

（２）石墨烯或其衍生物作為選擇性的表層??Ｈａｎ?Ｙ等人以ＰＶＤＦ為支撐層，通過ＣＮＴ插層石墨稀制備了高通量的納濾??膜（Ｇ－ＣＮＴｍ），ＧＯ起到分子篩的作用，ＣＮＴ用來擴大ＧＯ片層間距［５７］。圖１－??８顯示了石墨烯納濾膜（ＧＮｍ）和Ｇ－ＣＮＴｍ的結構和水運輸通道示意圖。用這....

本文編號：3891666