以單分散SiO₂為模板,通過簡單的一步煅燒法制備具有分級孔結(jié)構(gòu)的g-C₃N₄。與體相g-C₃N₄相比,分級孔結(jié)構(gòu)的g-C₃N₄不僅可見光吸收性能和比表面積得到提高,而且更有利于光生電子-空穴的分離。此外,具有分級孔結(jié)構(gòu)的g-C₃N₄具有明顯增強(qiáng)的可見光驅(qū)動(dòng)的光催化產(chǎn)氫活性,當(dāng)SiO₂和二氰二胺質(zhì)量比為1∶1時(shí),制備所得g-C₃N₄(C₃N₄-2)產(chǎn)氫速率幾乎是體相g-C₃N₄的18倍。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 光催化劑的制備
        1.2.1 單分散SiO2球的制備
        1.2.2 體相g-C3N4的制備
        1.2.3 復(fù)合材料SiO2/g-C3N4的制備
        1.2.4 分級孔g-C3N4的制備
    1.3 光電化學(xué)測試
    1.4 可見光下光催化降解性能測試
    1.5 光解水產(chǎn)氫性能
2 結(jié)果與討論
    2.1 物相分析
    2.2 傅里葉變換紅外光譜(FT-IR)分析
    2.3 微觀結(jié)構(gòu)的分析
    2.4 分級孔結(jié)構(gòu)表征
    2.5 光吸收性能分析
    2.6 催化劑的光電性質(zhì)分析
    2.7 光催化性能分析
3 結(jié)論



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