磁控濺射制備易氧化質(zhì)薄膜一般需要超高本底真空條件,而超高真空條件在大面積、大批量鍍膜工程中存在成本過高或較難實現(xiàn)的問題。通過在磁控濺射鍍膜室內(nèi)部附加1套輔助Ti靶,利用從Ti靶濺射出的Ti原子對氧的親合作用,消耗鍍膜腔內(nèi)殘余氣氛特別是氧的含量,以期能夠達到近似超高本底真空條件下的鍍膜效果。以磁控濺射制備ZrB2薄膜為研究對象,對比研究了輔助Ti靶開啟與否對制成ZrB2薄膜成分與微觀組織及性能的影響,發(fā)現(xiàn)在相同的工藝條件下,輔助Ti靶開啟可使ZrB2薄膜中的O含量由輔助Ti靶不開啟的24.77 at.%降低為2.94 at.%;組織結(jié)構(gòu)與性能對比分析結(jié)果表明,Ti靶不開啟制成的高O含量ZrB2薄膜呈非晶結(jié)構(gòu),電阻率為682μΩ·cm,而Ti靶開啟制成的低O含量ZrB2薄膜為多晶結(jié)構(gòu),電阻率降低至348μΩ·cm。

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【文章目錄】：
0 引言
1 試驗過程
2 結(jié)果與討論
    2.1 不同鍍膜工藝模式下ZrB2薄膜成分對比
    2.2 不同鍍膜工藝模式下ZrB2薄膜微觀結(jié)構(gòu)與組織對比
    2.3 不同鍍膜工藝模式下ZrB2薄膜電學性能
3 結(jié)論



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