分析表明,不同于傳統(tǒng)硅基電子器件依靠CMOS工藝對性能進(jìn)行調(diào)控,未來極具潛力的碳基電子器件,以碳納米管薄膜晶體管為例,其性能主要取決于碳納米管薄膜的成膜質(zhì)量,尤其是形成薄膜的碳納米管的取向與排列。提出一種基于楔形基板的成膜方案,討論溶液蒸發(fā)過程中碳納米管的取向與排列,分析碳納米管溶液表面的蒸發(fā)現(xiàn)象,對比楔形基板的控制參數(shù)�；陲@微鏡觀測的碳納米管薄膜圖像表明,通過楔形基板配合溶液法制備定向排列的碳納米管薄膜是可能的。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 分析討論
    2.1 理論分析
    2.2 模型模擬
    2.3 楔形基板參數(shù)調(diào)控
3 總結(jié)



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