在摩爾定律的推動(dòng)下,當(dāng)今的集成電路的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)能力已經(jīng)走向了一個(gè)新的高度。SOI技術(shù)（絕緣襯底上的硅）,作為低功率集成電路器件的首選襯底,已經(jīng)成為了后摩爾定律發(fā)展的主流技術(shù)之一。主流的SOI工藝包括注氧隔離技術(shù),注氧鍵合技術(shù),鍵合背面蝕刻絕緣體技術(shù),智能剝離技術(shù)等。智能剝離技術(shù)是結(jié)合了前面的注氧隔離和絕緣體基外延的工藝技術(shù),目前是一種比較有開(kāi)發(fā)前景的SOI工藝�；瘜W(xué)機(jī)械拋光后的氨水腐蝕已經(jīng)困擾著該工藝多年。這種缺陷失效率在整個(gè)世界水平的產(chǎn)品生產(chǎn)中站到了近1%-2%之間,而在國(guó)內(nèi)卻高達(dá)6%。本次研究發(fā)現(xiàn),氨水腐蝕是源自拋布中拋漿的揮發(fā)。當(dāng)完成拋光作業(yè)后,拋布中揮發(fā)的拋漿腐蝕了晶圓表面形成的腐蝕層。研究中還發(fā)現(xiàn),隨著拋布?jí)勖脑黾?拋布中累計(jì)的拋漿含量上升會(huì)使腐蝕缺陷越發(fā)明顯。本次研究通過(guò)增加拋光后的水拋時(shí)間、降低等待時(shí)間和減小刷盤壓力能夠明顯優(yōu)化氨水腐蝕缺陷。通過(guò)本次的優(yōu)化,腐蝕缺陷均值下降600%,良率損失控制在單月最低0.13%。我國(guó)針對(duì)該技術(shù)的掌握能達(dá)到熟練水準(zhǔn)。 

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 集成電路中的SOI襯底
    1.1 SOI襯底的基本介紹
    1.2 SOI襯底的工藝介紹
        1.2.1 注氧隔離技術(shù)
        1.2.2 鍵合背面蝕刻絕緣體技術(shù)
        1.2.3 注氧鍵合技術(shù)
        1.2.4 智能剝離技術(shù)
    1.3 智能剝離技術(shù)的瓶頸
    1.4 研究目的
第二章 腐蝕缺陷和化學(xué)機(jī)械拋光
    2.1 SOI硅基的缺陷分類
    2.2 SOI硅基的表面腐蝕缺陷現(xiàn)狀
    2.3 化學(xué)機(jī)械拋光原理
    2.4 拋光腐蝕缺陷表征
    2.5 KLA Tencor缺陷表征設(shè)備
    2.6 硅表面腐蝕缺陷的現(xiàn)象
    2.7 工程過(guò)程控制與數(shù)據(jù)分析
    2.8 本章小結(jié)
第三章 腐蝕缺陷失效機(jī)理研究
    3.1 實(shí)驗(yàn)條件概述
    3.2 腐蝕缺陷與拋漿溶液的關(guān)系
    3.3 腐蝕缺陷與拋光耗材壽命的關(guān)系
    3.4 腐蝕缺陷與停機(jī)時(shí)長(zhǎng)的關(guān)系
    3.5 失效機(jī)理分析
    3.6 本章小結(jié)
第四章 拋光腐蝕缺陷的優(yōu)化
    4.1 拋光腐蝕缺陷失效的相關(guān)因素
    4.2 拋漿濃度對(duì)硅表面腐蝕的優(yōu)化
        4.2.1 拋漿濃度均勻性變化相關(guān)性實(shí)驗(yàn)
        4.2.2 拋漿濃度比變化相關(guān)性實(shí)驗(yàn)
    4.3 水拋時(shí)間對(duì)硅表面腐蝕的優(yōu)化
    4.4 拋光后的等待時(shí)間對(duì)硅表面腐蝕的優(yōu)化
    4.5 修盤能力對(duì)硅表面腐蝕的優(yōu)化
    4.6 優(yōu)化機(jī)理及驗(yàn)證
    4.7 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
附錄1
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間已發(fā)表或錄用的論文



本文編號(hào)：3729634