發(fā)布時(shí)間：2022-01-02 18:07

　　在科技高速發(fā)展的今天,能源的持續(xù)利用,成為當(dāng)前世界各國都在努力攻關(guān)的重點(diǎn)。氫能作為無污染、高能量和存儲(chǔ)量巨大的可再生能源吸引著人們不斷探索獲取氫能的途徑。而電催化析氫反應(yīng)制取氫氣是大量獲取清潔可再生能源的重要的途徑,研制低成本、高效新型的析氫催化劑是開發(fā)氫能源的關(guān)鍵。同時(shí),隨著軍工和民用生產(chǎn)的產(chǎn)品種類和數(shù)量日益增多,產(chǎn)生的大量廢水、廢氣、廢渣亟需降解和清除。其中,具有高毒性的芳香族硝基爆炸物由于其高溶解度和穩(wěn)定性,難以被徹底降解。催化降解是廢物處理的有效途徑,為此充分利用太陽能,開發(fā)高效低成本、能循環(huán)利用的新型催化劑具有重要意義。本論文基于MoSe₂這一典型的過渡金屬硫族化合物為中心,通過對(duì)它的形貌、層數(shù)和結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控生長,優(yōu)化了MoSe₂單層薄膜的電催化析氫性能,進(jìn)行了MoSe₂微球結(jié)構(gòu)光催化降解硝基爆炸物的研究。也為新型光、電催化劑的設(shè)計(jì)與制備提供了參考依據(jù)。主要包括以下幾個(gè)方面的內(nèi)容:（1）用CVD法,通過改進(jìn)生長溫度、時(shí)間,控制氣體流量等生長工藝,制備出高質(zhì)量的單層和雙層MoSe₂薄膜。采用... 

【文章來源】：西南科技大學(xué)四川省

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

機(jī)械剝離獲得超薄MoS2納米片的SEM圖

影響溶劑熱生長法合成的主要因素有：合成溫度、反應(yīng)時(shí)間和攪拌速度等。圖1-2 溶劑熱法制備超薄的MoS2納米片SEM、TEM、XRD圖Fig. 1-2 The images of SEM， TEM， XRD with the ultrathin MoS2synthsizedsolvothermal method中科大錢逸泰院士團(tuán)隊(duì)在2001年用水熱反應(yīng)法制備了超薄MoS2納米片[22，23]。他們以鉬酸鹽為鉬源，硫粉為硫源，水合肼為還原劑，在150-180℃下反應(yīng)48 h，獲得了單層的MoS2，但所制備的產(chǎn)物呈碎布狀，形貌較差。印度Rao團(tuán)隊(duì)[24，25]將1 mmol MO3與2.5 mmol KSCN分散到10 mL去離子水中

1.1.2.5 化學(xué)氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）是指將化學(xué)氣相沉積法作為傳統(tǒng)制備薄膜的技術(shù)，其原理是將先驅(qū)反應(yīng)物氣化，以原子、分子的形式發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)形成的小晶核在載氣的輸運(yùn)下，沉積在基底上，并逐漸長大形成薄膜。由于 CVD 法在反應(yīng)過程中無雜質(zhì)的引入，可獲得高質(zhì)量、高結(jié)晶度和特定形貌的薄膜材料，廣泛用以制備 TMDs 納米材料[31]。Emilie Ringe 等[32]采用簡(jiǎn)單的 CVD 法分別用三氧化鉬和硒粉為原料，Ar 和H2為混合氣體，制備了大面積的 MoSe2納米薄層，單個(gè)三角形橫向尺寸大于100 μm，厚度約為 0.8 nm，其 MoSe2單層膜，具有很好的結(jié)晶度且晶體質(zhì)量好。采用電子束蒸發(fā)刻蝕技術(shù)（FBI）在 MoSe2薄膜表面刻蝕 Au 電極，測(cè)試電學(xué)特性，結(jié)果表明其為 n 型導(dǎo)電機(jī)制，計(jì)算出其電子遷移率約為 50 cm2/V·s（圖 1-3）。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]六角星形MoSe2雙層納米片的制備及其光致發(fā)光性能[J]. 黃靜雯,羅利瓊,金波,楚士晉,彭汝芳.  物理學(xué)報(bào). 2017(13)
[2]類石墨烯過渡金屬二硫化物的研究進(jìn)展[J]. 劉洋洋,陳曉冬,王現(xiàn)英,鄭學(xué)軍,楊俊和.  材料導(dǎo)報(bào). 2014(03)
[3]反射式高能電子衍射實(shí)時(shí)監(jiān)控的分子束外延生長GaAs晶體襯底溫度校準(zhǔn)及表面相變的研究[J]. 周勛,楊再榮,羅子江,賀業(yè)全,何浩,韋俊,鄧朝勇,丁召.  物理學(xué)報(bào). 2011(01)
[4]光催化與Fenton試劑對(duì)硝基苯酚降解的研究[J]. 黃衛(wèi)紅,楊丹,阮介兵,劉瑞,王晶博.  環(huán)境科學(xué)與技術(shù). 2010(12)
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[6]化學(xué)氣相沉積制備粉體材料的原理及研究進(jìn)展[J]. 劉志宏,張淑英,劉智勇,李玉虎,王娟.  粉末冶金材料科學(xué)與工程. 2009(06)
[7]氧化鋅薄膜制備技術(shù)的評(píng)價(jià)[J]. 劉坤,季振國.  真空科學(xué)與技術(shù). 2002(04)

碩士論文
[1]二維硫化鉬的化學(xué)氣相沉積法制備及其光電性能研究[D]. 曾甜.南京航空航天大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3564638